[发明专利]晶片的制造方法

说明书

提供晶片的制造方法，能够以短时间制造具有去疵层的晶片。该晶片的制造方法对在正面侧具有器件的晶片进行加工而制造在背面侧具有去疵层的晶片，该晶片的制造方法包含如下的步骤：保持步骤，隔着粘贴于正面上的保护部件而利用具有呈凸状弯曲的保持面的保持工作台的保持面对晶片进行保持；以及去疵层形成步骤，在保持步骤之后，使将氩气等离子化而得的氩离子与沿着保持面的形状呈凸状弯曲的晶片的背面侧碰撞，从而在晶片的背面侧形成去疵层。

技术领域

本发明涉及晶片的制造方法，用于制造具有去疵层的晶片。

背景技术

为了使组装至各种电子设备等的器件芯片小型化、轻量化，将分割成器件芯片之前的晶片加工得较薄的机会增加。例如，使多个磨粒分散在结合材料中而成的磨具工具旋转，使其与晶片的任意面接触，从而能够对该晶片进行磨削而变薄。另一方面，当使用上述那样的磨具工具对晶片进行磨削时，磨削痕、磨削应变残留于被磨削面，晶片的抗折强度会降低。

因此，在对晶片进行了磨削之后，利用研磨(例如化学机械研磨)或蚀刻(例如等离子蚀刻)等方法将残留于被磨削面的磨削痕、磨削应变去除。但是，当将磨削痕、磨削应变完全去除时，对给器件带来不良影响的金属等进行捕集的去疵效果也会消失。其结果是，容易损害器件的功能。

为了克服该问题，提出了下述方法：将晶片的被磨削面暴露于由惰性气体生成的等离子体(特别是离子)中，在被磨削面上形成微细的凹凸而再次获得去疵效果(例如，参照专利文献1)。在该方法中，使用与以去除磨削痕、磨削应变为目的的蚀刻相比低频率的交流电。这是因为，当使用频率高的交流电时，质量大的离子不会充分追随交流电的频率，无法获得适合晶片加工的离子的移动量(振幅)。

专利文献1：日本特开2010-177430号公报

如上所述，当在晶片的被磨削面上形成具有去疵效果的微细的凹凸(以下称为去疵层)时，期望将交流电的频率抑制到低至能够确保离子的移动量的程度。另一方面，当交流电的频率变得过低时，所生成的等离子体(离子)的密度也变低，从而晶片的加工需要较长的时间。

发明内容

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供一种晶片的制造方法，能够以短时间制造具有去疵层的晶片。

根据本发明的一个方式，提供晶片的制造方法，对在正面侧具有器件的晶片进行加工而制造在背面侧具有去疵层的晶片，其特征在于，该晶片的制造方法具有如下的步骤：保持步骤，隔着粘贴于该正面上的保护部件而利用具有呈凸状弯曲的保持面的保持工作台的该保持面对晶片进行保持；以及去疵层形成步骤，在该保持步骤之后，使将氩气等离子化而得的氩离子与沿着该保持面的形状呈凸状弯曲的晶片的该背面侧碰撞，从而在晶片的该背面侧形成去疵层。

在本发明的一个方式中，优选该晶片的制造方法还具有如下的蚀刻步骤：在该去疵层形成步骤之前，提供第一频率的交流电而使第一气体等离子化，从而对晶片的该背面进行等离子蚀刻而将该背面的磨削痕或磨削应变去除，在该去疵层形成步骤中，按照使该第一频率的交流电与低于该第一频率的第二频率的交流电重叠的方式进行提供，使将该氩气等离子化而得的氩离子与晶片的该背面碰撞，从而在晶片的该背面侧形成去疵层。

在本发明的一个方式的晶片的制造方法中，使氩离子与沿着保持工作台的保持面的形状呈凸状弯曲的晶片的背面侧碰撞，因此构成晶片的原子的原子间距离被拉长，与背面侧碰撞的氩离子容易进入晶片的内部。由此，能够在短时间内形成去疵层。即，能够以短时间制造具有去疵层的晶片。

附图说明

图1的(A)是示意性示出晶片的结构例的立体图，图1的(B)是示意性示出在晶片上粘贴保护部件的情况的立体图。

图2是用于对磨削步骤进行说明的局部剖视侧视图。

图3是示意性示出等离子处理装置的结构例的图。