[发明专利]一种采用隔离过孔结构的磁场探头有效
申请号: | 201711257850.X | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN108196207B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 阎照文;刘伟 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
代理公司: | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人: | 王顺荣;唐爱华 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 隔离 结构 磁场 探头 | ||
本发明一种采用隔离过孔结构的磁场探头,包括对称非屏蔽环、接地过孔、带状线、隔离过孔、信号过孔、转接头、非屏蔽环对称臂延长线、带状线上屏蔽层、带状线下屏蔽层、带状线介质和带状线信号线。所述的对称非屏蔽环位于带状线的介质材料的夹层中来保证对称非屏蔽环的强度,对称非屏蔽环的一个臂直接与带状线的信号线相连接,且另一个臂经过非屏蔽对称环延长线通过接地过孔与带状线的上屏蔽层和下屏蔽层相连接,隔离过孔位于带状线上,且与带状线上屏蔽层和下屏蔽层相连接,同时位于接地过孔和带状线信号线之间,带状线信号线的另一端通过信号过孔与转接头相连接。
【技术领域】
本发明属于电磁场测试领域,特别涉及一种对宽带高灵敏度近场磁场进行测试的磁场探头结构,具体来说是通过本探头近场测试可以获得被测试物体的近场磁场分布参数。
【背景技术】
随着电气工程、电子科学技术、计算机技术、控制理论与控制工程等技术的飞速发展,电子电路在各行各业的应用占据不可或缺的地位。电子电路工作频率频段不断扩展,集成度和复杂度越来越高,电路中的任何一段走线都有可能成为辐射磁场的源。不同的走线辐射之间的耦合,是造成系统级电磁兼容问题的主要原因之一。
国家技术监督局发布的文件明确指出,任何不符合国家标准规定,无线电干扰严重的产品禁止生产和使用。对不同电子电路的辐射进行准确的测量是电磁兼容设计中指标量化环节有效的考察手段。但是在对被测电路辐射的电磁场强度进行远场测量时,并不能准确获得被测试设备中辐射源的准确位置,这就是被测试电路电磁兼容整改过程中面临的主要问题。相比远场测试的不足,近场测试可以准确对电子电路中的辐射源进行精确定位。越来越多的电子设备都具有工作频带宽的特点,同时走线上的信号电流也非常小。但是目前近场测试过程中使用的磁场探头不能兼备宽带和高灵敏度特点,因此在测试过程中需要一组近场测试探头共同测量来满足要求,包括低频时使用尺寸较大的探头,高频时更换为尺寸较小的探头。但是测试过程中频繁的更换磁场探头会在结果中引入较大的测量误差。
【发明内容】
为了克服现有近场磁场探头的不足,本发明的目的在于提供一种应用于近场测试的磁场探头,能解决在宽带测试时因为信号电流微弱而不能测试到的问题和因更换探头而引进测量误差的缺陷。
本发明的目的采用以下技术方案实现:
一种采用隔离过孔结构的磁场探头,包括对称非屏蔽环、隔离过孔、接地过孔、带状线、信号过孔和转接头。
所述的对称非屏蔽环是拾取近场磁场分布的重要金属结构,其两臂关于中心轴对称,且对称非屏蔽环的一个臂与带状线的信号线相连接,对称非屏蔽环的另一个臂经过延长后通过接地过孔与带状线上层屏蔽地和下层屏蔽地直接相连接;所述的非屏蔽对称环结构为类似于“U”型结构形式,左右两个臂位于带状线介质中并且关于中心轴对称。
所述的隔离过孔目的是为分布电流提供充分的回流路径,其被置于带状线上且位于对称非屏蔽环一个臂延长线和微带线的信号线之间;隔离过孔的形式为金属通孔,隔离过孔与带状线的上层屏蔽地和下层屏蔽地直接相连接。
所述的接地过孔目的是将对称非屏蔽环和微带线构成通路,其位于对称非屏蔽环的延长线的末端,接地过孔的形式为金属通孔,接地过孔与带状线的上层屏蔽地和带状线下层屏蔽地直接相连接。
所述的带状线由信号线、带状线介质、上层屏蔽地和下层屏蔽地组成,带状线上层屏蔽地位于带状线介质的上表面,带状线下层屏蔽地位于带状线介质的下表面,信号线位于带状线介质中;所述的信号线另一端由信号过孔与转接头相连接,目的是将磁场探头拾取到的信号通过转接头传输给测试设备。
所述的信号过孔和转接头位于带状线的另一端,信号过孔贯穿带状线介质与带状线的信号线相连接,信号过孔与带状线上层屏蔽地和带状线下层屏蔽地相隔离,用来防止短路。转接头通过信号过孔固定在带状线上,目的是提供方便的连接方法将探头测试到的信号传输给测试设备。
相比现有技术,本发明的有益效果在于:
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