[发明专利]互连结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

互连，其包括被配置成位于绝缘体材料内的网格图案的多个导电层级和列，所述多个导电层级和列被对准以连接到使用不同的连接技术的不同的封装配置；以及

控制电路，其包括与所述不同的封装配置相关联的可编程熔丝并被配置为向所述互连提供信号以连接到所述不同的封装配置的组合。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述不同的封装配置包括2D、2.5D和3D配置。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述不同的连接技术包括微柱连接和硅通孔连接。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述控制电路连接到所述互连的任何层级。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述互连与后段制程布线隔离。

6.根据权利要求3所述的半导体结构，进一步包括位于所述微柱与所述互连之间的虚设垫以促进到不同的封装配置的I/O连接。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电层级和列的材料为铝、铜和钨中的一种。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述互连是后段制程结构。

9.一种互连结构，包括：

后段制程互连，其包括导电网格图案，所述导电网格图案包括被配置为连接到使用不同的连接技术的不同的封装配置的多个列；以及

具有与所述不同的封装配置相关联的可编程熔丝的控制电路，所述熔丝在熔断后将所述后段制程互连连接到所述不同的封装配置的组合。

10.根据权利要求9所述的互连结构，其中所述不同的封装配置包括使用不同连接技术的2D、2.5D和3D配置。

11.根据权利要求10所述的互连结构，其中所述不同的连接技术包括微柱连接和硅通孔连接中的至少一种。

12.根据权利要求11所述的互连结构，其中所述控制电路被连接到所述后段制程互连的任何层级。

13.根据权利要求11所述的互连结构，其中所述后段制程互连与后段制程布线隔离。

14.根据权利要求9所述的互连结构，进一步包括位于一个所述不同的封装配置的微柱与所述后段制程互连之间的虚设垫，以促进到不同的封装配置的I/O连接。

15.根据权利要求9所述的互连结构，其中所述不同的封装配置至少包括单芯片模块和多芯片模块。

16.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

制造控制电路和互连结构，所述互连结构包括导电网格图案，所述导电网格图案包括被配置为连接到使用不同的连接技术的不同的封装配置的多个列；

确定将在模块组件中使用哪种类型的封装配置；以及

为所述模块组件中使用的希望的封装类型熔断所述控制电路的适当的熔丝，以便所述互连结构形成到所述希望的封装类型的电连接。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括测试所述模块组件。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述希望的封装类型是3D、单芯片模块、多芯片模块、2.5D和2D封装类型中的至少一种。