[发明专利]一种叠层OLED器件及其制作方法

权利要求书

1.一种叠层OLED器件的制作方法，包括：

在基板上由下至上依次叠层第一正向OLED结构和第一反转OLED 结构，其中，在第一正向OLED结构和第一反转OLED 结构之间设置电荷产生层作为所述第一正向OLED结构和所述第一反转OLED结构的共同阴极，并且使所述第一正向OLED结构中的各有机功能层与所述第一反转OLED结构中的各有机功能层以所述电荷产生层相对称；其具体过程包括：

利用成膜工艺及光刻技术的涂布、曝光、显影工艺，在基板上制备出像素定义层、导电层以及对所述像素定义层和所述导电层进行覆盖的保护层；

利用热蒸发的方式在基板的第一阳极上依次沉积叠层第一正向OLED结构的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层以及电荷产生层；

在所述电荷产生层上自下依次叠层第一反转OLED结构的第二电子注入层、第二电子传输层、第二发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层、第二透明阳极；

在所述第一反转OLED结构上叠层第二正向OLED结构，并在所述第一反转OLED结构与所述第二正向OLED结构之间设置透明绝缘层；

将所述第一正向OLED结构的阳极与所述第二正向OLED结构的阳极通过导电层相连接。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在基板上由下至上依次叠层第一正向OLED结构和第一反转OLED 结构过程中，蒸镀第二透明阳极使用的掩膜版类型为第二开放式掩膜版，其他各层使用的掩膜版类型为第一开放式掩膜版，在所述第一反转OLED结构上和第二正向OLED结构之间设置透明绝缘层时使用的掩膜版类型为第二开放式掩膜版。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一反转OLED结构上叠层第二正向OLED结构，具体包括：

利用脱膜技术，把覆盖在制备于基板上的像素定义层、导电层上的保护层去除；

利用光刻技术的涂布、曝光、显影工艺，制备一层倒梯形像素定义层；

利用热蒸发的方式，在制备有所述倒梯形像素定义层的结构上制备第三透明阳极；

利用脱膜技术，将所述倒梯形像素定义层除去；

利用热蒸发的方式，在所述第三透明阳极上依次沉积所述第二正向OLED结构的第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层、第三电子注入层以及透明阴极。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，蒸镀所述第三透明阳极使用的掩膜版类型为第一开放式掩膜版，蒸镀透明阴极使用的掩膜版类型为第三开放式掩膜版，其他各层使用的掩膜版类型为第一开放式掩膜版。