[发明专利]一种扇出型天线封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤1)提供一载体，并于所述载体上表面形成释放层；

步骤2)于所述释放层上表面形成单层天线结构，并于所述单层天线结构上表面形成重新布线层；

步骤3)于所述重新布线层上表面形成至少一个半导体芯片，所述半导体芯片包括第一表面，及与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述半导体芯片的第一表面与所述重新布线层电连接；

步骤4)于所述半导体芯片两侧的所述重新布线层上形成引出导线，其中，所述引出导线与所述重新布线层电连接；

步骤5)于所述重新布线层上表面形成塑封层，其中，所述塑封层包覆所述半导体芯片及所述引出导线；

步骤6)去除部分所述塑封层，以暴露出所述半导体芯片的第二表面及引出导线；

步骤7)于所述塑封层上表面形成焊球下金属层，其中，所述焊球下金属层与所述引出导线电连接，并于所述焊球下金属层上表面形成焊球凸块；

步骤8)去除所述载体和所述释放层，以暴露出所述单层天线结构；

步骤9)于所述焊球凸块表面焊接一基板，其中，所述基板与所述焊球凸块电连接；以及

步骤10)于所述半导体芯片的第二表面形成散热片。

2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述单层天线结构及所述重新布线层的方法包括：

步骤2.1)于所述释放层上表面形成第一介质层，并对所述第一介质层进行光刻，以形成开口；

步骤2.2)于所述开口中形成第一金属线层，以形成单层天线结构；

步骤2.3)于所述单层天线结构上表面形成至少一层由第二介质层及第二金属线层构成的叠层结构，以形成重新布线层。

3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中还包括于所述重新布线层上表面形成连接焊球的步骤，其中，所述半导体芯片的第一表面通过所述连接焊球与所述重新布线层电连接。

4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，步骤4)中采用打线工艺形成所述引出导线。

5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，步骤9)中于所述焊球凸块表面焊接一基板的具体方法包括：

步骤9.1)提供一基板，所述基板包括基板本体及设于所述基板本体上的接触焊盘，其中，所述基板本体上设有一贯通所述基板本体以暴露所述半导体芯片的通孔；

步骤9.2)将所述焊球凸块焊接于所述接触焊盘上，以实现所述焊球凸块与所述基板的电连接。

6.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，步骤10)中还包括于所述半导体芯片的第二表面及所述散热片之间形成粘附层的步骤。

7.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述扇出型天线封装结构包括：

单层天线结构；

形成于所述单层天线结构下表面的重新布线层；

形成于所述重新布线层下表面的至少一个半导体芯片，所述半导体芯片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述半导体芯片的第一表面与所述重新布线层电连接；

形成于所述半导体芯片两侧的重新布线层下表面、且与所述重新布线层电连接的引出导线；

形成于所述重新布线层下表面、且包围所述半导体芯片及所述引出导线的塑封层；

形成于所述塑封层下表面、且与所述引出导线电连接的焊球下金属层；

形成于所述焊球下金属层下表面的焊球凸块；

形成于所述焊球凸块下表面、且与所述焊球凸块电连接的基板；以及

形成于所述半导体芯片第二表面的散热片。

8.根据权利要求7所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述单层天线结构包括具有开口的第一介质层，及形成于所述开口中的第一金属线层；所述重新布线层包括至少一层由第二介质层及第二金属线层构成的叠层结构。

9.根据权利要求7所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述扇出型天线封装结构还包括形成于所述重新布线层及所述半导体芯片第一表面之间的连接焊球。