[发明专利]一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法在审
申请号: | 201711259731.8 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN107983176A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 夏思奇;徐华胜;张春秀;徐国皓;余金鹏;张伏军;王鹏飞 | 申请(专利权)人: | 上海绿强新材料有限公司;上海化工研究院有限公司 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02;B01D69/10;B01D69/08;B01D67/00;C07C7/144;C07C15/08 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 201806 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 c8 芳烃 异构体 分离 emt 分子筛 制备 方法 | ||
1.一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:
步骤A1.制备EMT分子筛晶种:将硅源、铝源、碱、模板剂、水进行混合,在95~120℃下晶化10~15天,制备出EMT分子筛晶种;
步骤A2.制备晶种化膜支撑体:将EMT分子筛晶种涂覆在经表面处理的孔隙率为35~50%、孔径为80~200nm的膜支撑体表面,低温干燥后得到晶种化膜支撑体;
步骤A3.EMT分子筛膜的制备:将涂覆好EMT分子筛晶种的膜支撑体浸入EMT分子筛合成液中,经老化、晶化之后,将膜支撑体取出,洗涤、干燥、焙烧之后可到EMT分子筛膜;
步骤A4.将制备好的EMT分子筛膜在200~500℃下氮气气氛中处理4~8h,应用于C8芳烃异构体的分离。
2.根据权利要求1所述一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,制备EMT分子筛晶种中各原料之间的摩尔比为:
硅源中的SiO2与铝源中的Al2O3之间的比例为3~100:1;碱与铝源中的Al2O3之间的比例为0.1~10:1;模板剂与铝源中Al2O3之间的比例为0~1.0:1;水与碱之间的比例为10~300:1。
3.根据权利要求1或2所述一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,
所述硅源为正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、正硅酸四乙酯、硅酸、硅酸钠、硅酸钾、硅酸钙、硅酸镁、硅溶胶、水玻璃、二氧化硅、白炭黑或粉煤灰中的一种或几种混合;
所述铝源为铝酸钠、铝酸钙、铝溶胶或氧化铝中的一种或几种混合;
所述碱为氧化锂、氧化钠、氧化钾、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或几种混合;
所述模板剂为15-冠-5醚、18-冠-6醚或聚乙二醇中的一种或几种混合。
4.根据权利要求1所述的一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,所述的晶种化膜支撑体采用以下方法制备得到:
步骤B1.将粒度分布均匀的铝源分散于硝酸,通过模具挤出中空纤维状膜支撑体,在室温下老化风干,放马弗炉中于1000~1300℃下煅烧,得到惰性α-氧化铝中空纤维陶瓷膜支撑体;
步骤B2.将α-氧化铝中空纤维陶瓷膜支撑体浸渍在表面预处理剂中1~5h,在80-130℃干燥1-5h,并在450℃~550℃焙烧2~8h,重复1~5次,得到孔隙率为35~50%、孔径为80~200nm的中空纤维陶瓷膜支撑体。
步骤B3.将EMT分子筛晶种均匀涂覆在膜支撑体表面,在20~80℃下,低温干燥得到晶种化膜支撑体。
5.根据权利要求4所述制备中空纤维陶瓷的铝源,其特征在于,所述铝源为活性氧化铝、拟薄水铝石、快脱粉、氢氧化铝、γ-氧化铝、α-氧化铝中的一种或几种混合。
6.根据权利要求4所述的一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,所述的表面预处理剂为表面活性剂、碱性氯化铝、二氧化硅、氧化铝或氢氧化钠中的至少两种或几种混合。
7.根据权利要求4或6所述的一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,所述表面活性剂为聚丙烯酰胺、聚乙二醇100~20000、脂肪酸盐或烷基苯磺酸盐中的一种或多种。
8.根据权利要求1或4所述的一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,低温干燥的温度优选40~60℃。
9.根据权利要求1所述的一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,所述的EMT分子筛膜合成液与EMT分子筛晶种合成液配比相同。
10.根据权利要求1所述的一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,分子筛膜的晶化条件是在水热95~110℃下晶化2~15天,经一次或多次生长EMT分子筛后,得到膜厚1~3μm的EMT/α-氧化铝中空纤维分子筛膜。
11.根据权利要求1所述的一种用于C8芳烃异构体分离的EMT分子筛膜的制备方法,其特征在于,步骤A3的焙烧温度为400~600℃以去除模板剂。
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