[发明专利]用于扫描电子显微镜中的X射线靶组件在审

专利信息
申请号: 201711260936.8 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN108155079A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 王琦;王宗伟;唐兴;孟婕;马小军;顾倩倩;高党忠;姜凯;马文朝 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: H01J37/28 分类号: H01J37/28;H01J37/16;G01N23/2252
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 杨长青
地址: 621900*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 靶材 屏蔽盒 扫描电子显微镜 二次电子 出射口 入射口 电子束轰击 有效屏蔽 杂散光 电子束 诱发 扫描电子显微镜技术 射出 射入 成像 轰击
【说明书】:

发明公开了一种用于扫描电子显微镜中的X射线靶组件,涉及扫描电子显微镜技术领域,可对SEM电子束轰击靶材后产生的二次电子进行有效屏蔽,解决二次电子及其诱发的杂散光对X射线对成像质量造成不良影响的问题。本发明采用的技术方案是:用于扫描电子显微镜中的X射线靶组件,包括靶材和屏蔽盒,靶材放置于屏蔽盒内,屏蔽盒上设置至少一个入射口和至少一个出射口,屏蔽盒内放置一个或多个靶材,每个靶材均在屏蔽盒上对应设置入射口和出射口。扫描电子显微镜电子束由入射口射入,轰击靶材后产生的X射线从出射口射出,扫描电子显微镜电子束轰击靶材产生的二次电子由屏蔽盒进行有效屏蔽,避免二次电子及其诱发的杂散光对X射线成像质量的影响。

技术领域

本发明涉及扫描电子显微镜技术领域,具体是一种用于扫描电子显微镜中的X射线靶组件。

背景技术

描电子显微镜(SEM)可以产生稳定的纳米级焦点X射线源,配合样品位移台、探测器等组件,可对低原子序数材料样品进行高分辨率的X射线成像与CT检测。Dongyang Wu等人2007年在复合材料科学与技术《Composites Science and Technology》中发表的文章X-ray ultramicroscopy:A new method for observation and measurement of fillerdispersion in thermoplastic composites公开了一种SEM的改造方法,该方法成像分辨率已优于50nm。相比于其他高分辨X射线成像方法,如借助同步辐射加速器或使用商业纳米级分辨率X射线CT,该方法在实验室中通过对扫描电子显微镜进行简单改造即可实现,具有简单易行、费用低廉的优点,在生物组织结构研究、高密度集成电路检测、惯性约束聚变靶制备等领域均有十分巨大的应用前景。

2002年,澳大利亚联邦科学与工业研究组织的S.C.Mayo等人在显微镜学杂志《Journal of Microscopy》中公开了一种SEM改造设计,X射线产生方式为SEM电子束直接轰击金属靶材,探测器为直接探测型低能量X射线CCD。该设计并未对SEM轰击靶材后产生的二次电子以及二次电子诱发的荧光进行屏蔽,虽然其图像分辨率较高,但是X射线图像背景噪声较高,信噪比较低。

德国布鲁克公司(Bruker)公布了一种商业化的基于SEM的Micro-CT产品,其X射线产生方式亦为电子束直接轰击金属靶材,探测器为前置铍窗X射线CCD相机。由于CCD相机有铍窗进行保护,所以,二次电子以及二次电子诱发的荧光被完全屏蔽,降低了X射线图像的背景噪音。此外,由于铍窗对低能量X射线的吸收作用,该设计难以实现对低密度、低原子序数材料样品的高质量成像。

发明内容

本发明提供一种用于扫描电子显微镜中的X射线靶组件,可对SEM电子束轰击靶材后产生的二次电子进行有效屏蔽,解决了二次电子及其诱发的杂散光对X射线对成像质量造成不良影响的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:用于扫描电子显微镜中的X射线靶组件,包括靶材和屏蔽盒,靶材放置于屏蔽盒内,屏蔽盒上设置至少一个入射口和至少一个出射口,并且扫描电子显微镜电子束由入射口射入,轰击靶材后产生的X射线可从出射口射出。

进一步的是:所述屏蔽盒的顶面为开口状,屏蔽盒的顶部配置可密封屏蔽盒的盖板,盖板上设置通孔并作为所述入射口,屏蔽盒的侧面或底面设置所述出射口,盖板由一种或者多种导体、半导体材料制成。

更进一步的是:所述盖板的一侧连接传动器,传动器可带动盖板密封屏蔽盒顶面开口或打开屏蔽盒顶面开口。

具体地,所述屏蔽盒和盖板均由一种或者多种导体、半导体材料制成。

具体地,所述传动器为继电器、压电位移台或者电动位移台。

进一步的是:所述屏蔽盒的出射口处还设置屏蔽片,屏蔽片可遮蔽所述出射口。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心,未经中国工程物理研究院激光聚变研究中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711260936.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top