[发明专利]近红外晶格失配探测器缓冲层

权利要求书

1.一种近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对所述组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As组分比例逐渐增大，所述应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层的各个组分，其组分比例与所述应力释放层相邻子渐变层中对应组分比例相同；

所述高温缓冲层的应变为M，所述组分渐变层的应变为N，满足0.4M≤N≤0.9M；即，组分渐变层的失配与高温缓冲层的失配不相同。

2.根据权利要求1所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述衬底为InP衬底，所述组分渐变层的组分包括InaGa1-aAs、InbAl1-bAs和InAs_cP_1-c中的一种。

3.根据权利要求2所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述InP衬底的晶向为[001]，a的取值范围为0.53～0.95，b的取值范围为0.53～0.95，c的取值范围为0～0.9。

4.根据权利要求1所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述组分渐变层在被循环退火后生长所述应力释放层。

5.根据权利要求4所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述循环退火的温度为400～700℃，退火时间为1～10分钟。

6.根据权利要求1所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述低温缓冲层和高温缓冲层的组分相同且各个组分的比例相同。

7.根据权利要求1或6所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述低温缓冲层在400～600℃下生成，所述高温缓冲层在550～700℃下生成。

8.根据权利要求6所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述低温缓冲层和高温缓冲层的组分表示为：In_xGa_1-xAs，x为大于0且小于1的任意数值。