[发明专利]一种低失调电压比较器有效
| 申请号： | 201711261484.5 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108120871B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 姜伟;田文博;王钊;王晓帅 | 申请（专利权）人： | 合肥中感微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 杨晓东 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站区珍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 失调 电压 比较 | ||
1.一种电压比较器，其特征在于，其包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第三反馈电阻、第一MOS管、第二MOS管、第四MOS管，以及第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和有源负载，
其中，第三电阻和第四电阻依次串联于电压输入端和接地端之间，第三反馈电阻连接于电源端和第四MOS管的第一连接端之间，第四MOS管的控制端与第四MOS管的第二连接端相连，第四MOS管的第二连接端与第二双极型晶体管的第一连接端相连，第二双极型晶体管的控制端与第三电阻和第四电阻之间的连接节点相连，第二双极型晶体管的第二连接端通过依次串联的第一电阻和第二电阻接地；
第一反馈电阻连接于电源端和第一MOS管的第一连接端之间，第一MOS管的控制端与第四MOS管的控制端相连，第一MOS管的第二连接端与第一双极型晶体管的第一连接端相连，第一双极型晶体管的控制端和第二双极型晶体管的控制端相连，第一双极型晶体管的第二连接端与第一电阻和第二电阻之间的连接节点相连；
第二反馈电阻连接于电源端和第二MOS管的第一连接端之间，第二MOS管的控制端与第一MOS管和第一双极型晶体管之间的连接节点相连，第二MOS管的第二连接端与电压比较器的输出端相连；
所述有源负载的一端与电压比较器的输出端相连，所述有源负载的另一端接地，所述有源负载产生从所述电压比较器的输出端流向地的恒定电流。
2.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，
所述第一MOS管、第二MOS管和第四MOS管均为PMOS晶体管，且所述第一MOS管、第二MOS管和第四MOS管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极。
3.根据权利要求2所述的电压比较器，其特征在于，
所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管均为NPN型晶体管，且所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NPN型晶体管的集电极、发射极和基极。
4.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述有源负载包括第三MOS管，第三MOS管的第一连接端与电压比较器的输出端，其第二连接端接地，其控制端与偏置电压相连。
5.根据权利要求4所述的电压比较器，其特征在于，
所述第三MOS管为NMOS晶体管，且所述第三MOS管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极。
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