[发明专利]一种晶硅硅片的钝化层处理方法及晶硅太阳能电池

权利要求书

1.一种晶硅硅片的钝化层处理方法，其特征在于，包括：

在硅基体表面沉积钝化层；

以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理。

2.根据权利要求1所述的晶硅硅片的钝化层处理方法，其特征在于，所述以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理为：

以PECVD法产生的含氢等离子体的氢气氛围下对所述钝化层进行注氢处理。

3.根据权利要求2所述的晶硅硅片的钝化层处理方法，其特征在于，所述以PECVD法产生的含氢等离子体的氢气氛围下对所述钝化层进行注氢处理的工艺参数为：

氢气流量为5-50sccm、压强为1Torr、处理温度为180-220℃和射频功率20-50W的条件下对所述钝化层进行注氢处理10-180s。

4.根据权利要求3所述的晶硅硅片的钝化层处理方法，其特征在于，所述处理温度为200℃。

5.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，包括采用权利要求1-4任一项钝化层处理方法制备的晶硅硅片。