[发明专利]基板处理腔室和半导体处理系统

说明书

本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

本申请是申请日为2013年9月9日、申请号为“201380048676.1”、发明名称为“气体分配组合件”的发明专利申请的分案申请。

相关申请案的交叉引用

本申请案主张于2012年09月21日提出申请且标题为“晶圆处理设备中的化学物质控制特征(Chemical Control Features in Wafer Process Equipment)”的美国临时专利申请案第61/704,257号的优先权权益。为了所有的目的将该申请案的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本技术关于半导体工艺和设备。更具体而言，本技术关于处理系统等离子体组件。

背景技术

通过在基板表面上产生错综复杂的图案化材料层的工艺能够制作出集成电路。在基板上产生图案化材料需要控制的方法，以去除曝光的材料。化学蚀刻被用于各式各样的目的，包括将光阻中的图案转入下面的层，即已经存在表面上的薄化层或特征的薄化横向尺寸。往往理想的是拥有一种蚀刻一种材料的速度比蚀刻另一种材料的速度更快的蚀刻工艺，以有助于例如图案转移工艺。这样的蚀刻工艺即所谓的对第一种材料有选择性。材料、电路及工艺具有多样性的结果是，已经开发出具有对各种材料的选择性的蚀刻工艺。

在基板处理区域内形成的局部等离子体中产生的干蚀刻可以穿透更受限的沟槽并表现出较少的细微剩余结构变形。然而，随着集成电路技术不断地在尺寸上缩小，输送前驱物的设备会影响所使用的前驱物和等离子体物种的均匀性和品质。

因此，需要有可以在等离子体环境中被有效使用同时提供适当降解曲线的经改良系统组件。本技术解决了这些和其它的需求。

发明内容

描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

该组合件可以包括环形主体，该环形主体具有位于内径的内环形壁、位于外径的外环形壁以及上表面和下表面。该环形主体可以进一步包括形成在该上表面中的第一上凹部、在该内环形壁形成在该下表面中的第一下凹部以及在该第一下凹部下方并从该第一下凹部径向往外形成在该下表面中的第二下凹部。该环形主体还可以在该上表面中界定第一流体通道，该第一流体通道从该第一上凹部径向往内位于该环形主体中。该组合件可以包括在该第一上凹部与该环形主体耦接并覆盖该第一流体通道的上板材，并且该上板材可以界定多个第一孔。该组合件还可以包括在该第一下凹部与该环形主体耦接的下板材，下板材并具有界定于该下板材中的多个第二孔，其中该第二孔与界定于该上板材中的第一孔对齐。该下板材还可以界定位于该第二孔之间的多个第三孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接，使得该第一孔与该第二孔对齐而形成穿过该上板材和该下板材的通道。

可以将该组合件的该上板材和该下板材黏合在一起。该组合件的该环形主体可以进一步在该上表面中界定第二流体通道，该第二流体通道位于从该第一流体通道径向往外处，并且可以将多个通口界定在该环形主体的一部分中，该环形主体的该部分界定该第一流体通道的外壁和该第二流体通道的内壁。该第二流体通道可以位于该上凹部径向往外，使得该第二流体通道未被该上板材覆盖。该环形主体可以在该第二流体通道的顶部附近并在该内壁和外壁中界定第二上凹部，而且该气体分配组合件可以包括环形构件，该环形构件位于该第二上凹部内，以便覆盖该第二流体通道。该上凹部可以包括与该第一流体通道的该外壁相交的底部部分。