[发明专利]一种低频功率放大器

权利要求书

1.一种低频功率放大器，其特征在于：包括电压放大电路、滤波器、功率放大电路、显示电路，所述电压放大电路为两级前置放大电路，所述滤波器为带阻滤波器，电压放大电路的输出端与带阻滤波器的输入端相连，带阻滤波器的输出端与功率放大电路相连，功率放大电路的输出端与显示电路相连，所述直流稳压电源为电压放大电路、滤波器、功率放大电路、显示电路供电，直流稳压电源分别与电压放大电路、滤波器、功率放大电路、显示电路相连。

2.如权利要求1所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述前置放大电路包括运算放大器U1、U2，电阻R1、R2，电容C1、C2、C3、C4，所述电阻R1与运算放大器U1的同相输入端相连，运算放大器U1的同相输入端通过电容C1接地，运算放大器U1的同相输入端与反相输入端之间连接有电容C2，运算放大器U1的反相输入端与运算放大器U1的输出端相连，运算放大器U1的输出端通过电容C3接地，运算放大器U1的输出端通过电阻R2与运算放大器U2的同相输入端相连，运算放大器U2的反相输入端与运算放大器U2的输出端相连，运算放大器U2的输出端通过电容C4接地，运算放大器U2的输出端与带阻滤波器的输入端相连。

3.如权利要求2所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述运算放大器U1、U2为运算放大器NE5532。

4.如权利要求1所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述带阻滤波器包括运算放大器U3、U4，电阻R3、R4、R5、R6、R7、R8，电容C5、C6，所述电阻R3一端与前置电压放大电路输出端相连，另一端分别与电容C5、C6的一端相连，电容C5另一端与运算放大器U3的反相输入端相连，电容C6的另一端与运算放大器U3的输出端相连，运算放大器U3的反相输入端与输出端之间连接有电阻R4，运算放大器U3的同相输入端通过电阻R5接地，运算放大器U3的输出端经过电阻R6与运算放大器U4的反相输入端相连，运算放大器U4的同相输入端接地，运算放大器U4的反相输入端与输出端之间连接有电阻R8，运算放大器U4的反相输入端通过电阻R7与前置电压放大电路输出端相连，运算放大器U4的输出端与功率放大电路的输入端相连。

5.如权利要求4所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述运算放大器U3、U4为运算放大器TL082。

6.如权利要求4所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述带阻滤波器的频率为40-60Hz。

7.如权利要求1所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述功率放大电路包括直流电源VCC，晶体管VT1、VT2、VT3，电阻R9、R10，二极管D1，电容C7、C8，输入信号Vi，输出信号Vo，输入信号Vi与带阻滤波器的输出端相连，输出信号Vo与显示电路相连，晶体管VT1的集电极与直流电源VCC相连，晶体管VT1的基极通过电阻R10与直流电源VCC相连，晶体管VT1的基极与发射极之间连接有二极管D1；输入信号Vi通过电阻R9与晶体管VT3的基极、发射极、晶体管VT1发射极相连，输出信号Vo与晶体管VT3的发射极、晶体管VT1发射极相连；输入信号Vi与晶体管VT2的基极相连，晶体管VT2的集电极与晶体管VT3的基极相连，晶体管VT2的发射极与地相连，晶体管VT3的集电极与地相连；输入信号Vi与地之间并联有电容C7，输出信号Vo与地之间并联有电容C8。

8.如权利要求7所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述晶体管VT1、VT2为NPN型三极管，所述晶体管VT3为PNP型三极管。

9.如权利要求7所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述晶体管VT1的基极与二极管D1阳极相连，晶体管VT1的发射极连接二极管D1阴极，所述二极管D1为快恢复二极管。

10.如权利要求1所述的一种低频功率放大器，其特征在于，所述显示电路包括液晶显示器，液晶显示器包括TFT液晶显示屏。