[发明专利]阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括如下步骤：

步骤S10、提供一基板；

步骤S20、在所述基板表面沉积钝化层；

步骤S30、在所述钝化层表面形成水溶性有机物层，所述水溶性有机物为易溶于水的材料；

步骤S40、在所述水溶性有机物层表面涂布光阻层，对所述光阻层进行曝光、显影，得到光阻层图案和水溶性有机物层图案，所述光阻层图案包括多个间隔设置的光阻区域，所述水溶性有机物层图案包括多个间隔设置的水溶性有机物区域，所述光阻区域设置在所述水溶性有机物区域上方，所述水溶性有机物区域的横截面小于所述光阻区域底面的横截面；

步骤S50、对所述钝化层进行干蚀刻，使得所述钝化层图案的横截面与所述水溶性有机物层图案的横截面相同；

步骤S60、在所述基板上方沉积透明电极，所述透明电极包括覆盖于所述基板表面的第一电极和覆盖于所述光阻层图案表面的第二电极；

步骤S70、剥离所述水溶性有机物层图案与所述光阻层图案，除去所述第二电极，以使所述透明电极图案化。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述水溶性有机物包括羟基、醛基、羧基、氨基和磺酸基中的一者或至少两者。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述水溶性有机物由3，4-乙撑二氧噻吩聚合物和聚苯乙烯磺酸盐两种物质构成。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在对所述光阻层进行曝光、显影时，由于显影液对所述水性有机物区域的侧向腐蚀，使得所述水溶性有机物区域的横截面小于所述光阻区域的横截面，所述光阻区域呈梯形，所述光阻区域的上横截面小于下横截面。

5.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S50包括：

采用蚀刻气体对所述钝化层进行蚀刻，使得所述钝化层图案的横截面与所述水溶性有机物层图案的横截面相同，同时采用所述蚀刻气体蚀刻所述水溶性有机物层，使得所述水溶性有机物层图案的横截面进一步缩小。

6.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S70包括：

采用剥离液剥离所述水溶性有机物层图案，同时剥离所述光阻层图案和所述第二电极，其中，所述水溶性有机物层图案溶于所述剥离液中。

7.一种显示装置的制作方法，其特征在于，所述显示装置的制作方法包括阵列基板的制作方法和彩膜基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括如下步骤：

步骤S10、提供一基板；

步骤S20、在所述基板表面沉积钝化层；

步骤S30、在所述钝化层表面形成水溶性有机物层，所述水溶性有机物为易溶于水的材料；

步骤S40、在所述水溶性有机物层表面涂布光阻层，对所述光阻层进行曝光、显影，得到光阻层图案和水溶性有机物层图案，所述光阻层图案包括多个间隔设置的光阻区域，所述水溶性有机物层图案包括多个间隔设置的水溶性有机物区域，所述光阻区域设置在所述水溶性有机物区域上方，所述水溶性有机物区域的横截面小于所述光阻区域底面的横截面；

步骤S50、对所述钝化层进行干蚀刻，使得所述钝化层图案的横截面与所述水溶性有机物层图案的横截面相同；

步骤S60、在所述基板上方沉积透明电极，所述透明电极包括覆盖于所述基板表面的第一电极和覆盖于所述光阻层图案表面的第二电极；

步骤S70、剥离所述水溶性有机物层与所述光阻层，除去所述第二电极，以使所述透明电极图案化。

8.根据权利要求7所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述水溶性有机物包括羟基、醛基、羧基、氨基和磺酸基中的一者或至少两者。

9.根据权利要求8所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述水溶性有机物由3，4-乙撑二氧噻吩聚合物和聚苯乙烯磺酸盐两种物质构成。

10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在对所述光阻层进行曝光、显影时，由于显影液对所述水性有机物区域的侧向腐蚀，使得所述水溶性有机物区域的横截面小于所述光阻区域的横截面，所述光阻区域呈梯形，所述光阻区域的上横截面小于下横截面。