[发明专利]电阻式存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器装置，包括：

存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞；以及

电压选择器电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，通过多个不同的信号传递路径对所述多个存储器晶胞执行电压施加操作，且各所述信号传递路径通过所述多个存储器晶胞的其中一者，

其中多个信号传递路径当中的两个信号传递路径的电阻压降实质上相同，且所述两个信号传递路径的信号传递方向不相同，

其中在所述多个信号传递路径当中，两两一组，每一组信号传递路径的电阻压降实质上相同，且信号传递方向不相同。

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置，其中所述存储器晶胞阵列包括第一端、第二端、第三端及第四端，每一组信号传递路径包括第一信号传递路径及第二信号传递路径，所述第一信号传递路径位于所述第一端与所述第二端之间，其上的信号由所述第一端传递至所述第二端，且所述第二信号传递路径位于所述第三端与所述第四端之间，其上的信号由所述第三端传递至所述第四端。

3.根据权利要求2所述的电阻式存储器装置，其中所述电压选择器电路包括：

第一电压选择器，耦接至所述存储器晶胞阵列的所述第一端，用以选择将所述第一端耦接至第一电压或第二电压；以及

第二电压选择器，耦接至所述存储器晶胞阵列的所述第二端，用以选择将所述第二端耦接至第三电压或第四电压。

4.根据权利要求3所述的电阻式存储器装置，其中所述电压选择器电路更包括：

第三电压选择器，耦接至所述存储器晶胞阵列的所述第三端，用以选择将所述第三端耦接至所述第一电压或所述第二电压；以及

第四电压选择器，耦接至所述存储器晶胞阵列的所述第四端，用以选择将所述第四端耦接至所述第三电压或所述第四电压。

5.根据权利要求2所述的电阻式存储器装置，其中各所述存储器晶胞包括开关元件，所述开关元件包括第一端、第二端及控制端，所述开关元件的所述第一端通过比特线耦接至所述存储器晶胞阵列的所述第一端及所述第三端，所述开关元件的所述第二端通过源极线耦接至所述存储器晶胞阵列的所述第二端及所述第四端，且所述开关元件的所述控制端耦接至字符线。

6.根据权利要求5所述的电阻式存储器装置，其中在所述电压选择器电路对所述多个存储器晶胞当中的存储器晶胞执行所述电压施加操作时，所述存储器晶胞的所述开关元件被导通，其余的所述多个存储器晶胞的所述多个开关元件不导通。

7.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置，其中所述电压选择器电路依据输入指令，对所述多个存储器晶胞执行所述电压施加操作。

8.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置，其中所述电压选择器电路在上电程序之后，对所述多个存储器晶胞执行所述电压施加操作。

9.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置，其中所述电压施加操作包括形成程序、初始重置操作、重置操作、设定操作、写入操作以及读取操作的其中一者或其组合。

10.一种电阻式存储器装置的操作方法，其中电阻式存储器装置包括M个存储器晶胞，所述操作方法包括：

第一步骤：通过第一信号传递路径对所述M个存储器晶胞当中的第N个存储器晶胞执行电压施加操作，其中所述第一信号传递路径通过所述第N个存储器晶胞，且NM，M、N为正整数；

第二步骤：通过第二信号传递路径对所述M个存储器晶胞当中的第K个存储器晶胞执行所述电压施加操作，其中所述第二信号传递路径通过所述第K个存储器晶胞，且K≦M，K为正整数；以及

第三步骤：重复执行所述第一步骤及所述第二步骤，直到所述M个存储器晶胞均完成所述电压施加操作，

其中M、N、K符合关系式：N+K＝M+1，且所述第一信号传递路径的电阻压降与所述第二信号传递路径的电阻压降实质上相同，所述第一信号传递路径的信号传递方向与所述第二信号传递路径的信号传递方向不相同。