[发明专利]制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201711266580.9 申请日: 2013-07-12
公开(公告)号: CN107946203B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 酒井宣隆;大武守;斋藤浩儿;高桥富视 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/683;H01L23/544;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【说明书】:

本发明提供一种能够执行半导体器件的产品管理和/或迅速缺陷分析而未减少组装和测试过程中的吞吐量的技术。分别向在制造半导体器件(QFP)时使用的多个衬底(引线框)和向用于运送多个衬底的运送单元(架、批次、堆叠箱等)附着唯一标识信息。然后相互关联运送单元的标识信息(架ID)和向运送单元中存储的衬底的标识信息(衬底ID)。然后,在从向每个制造装置的加载器单元设置的运送单元取出衬底并且向装置的处理单元供应衬底时以及在向装置的卸载器单元的运送单元中存储其处理完成的衬底时,检查在运送单元的标识信息与衬底的标识信息之间的关联性。

本申请是于2013年7月12日提交的、申请号为201310300247.0、发明名称为“制造半导体器件的方法”的中国发明专利的分案申请。

相关申请的交叉引用

于2012年7月13日提交的第2012-157598号日本专利申请的公开内容(包括说明书、说明书附图和说明书摘要)通过整体引用而并入于此。

技术领域

本发明涉及制造半导体器件的方法,并且具体地涉及一种能够恰当确定在半导体器件的制造过程中出现的缺陷的原因的半导体制造技术。

背景技术

半导体制造商在半导体器件(半导体封装)的表面上显示产品信息(诸如产品类型名称、客户标志标记和生产码)以便执行半导体器件的产品管理和/或缺陷分析。

公开号为2011-66340的日本专利公开一种用于向生产线的主服务器中相互关联地存储半导体封装的每个制造过程中的制造条件和半导体器件的标识编号并且也在半导体封装的表面上标记与上述标识编号对应的二维码(二维条形码)的技术。根据这一技术,例如在缺陷出现于半导体封装中时,变得有可能通过读取半导体封装上标记的二维码以标识该标识编号并且追踪主服务器中存储的半导体封装的制造条件来执行半导体封装的缺陷分析。

发明内容

这里将半导体器件的制造过程大致地划分成晶片过程以及在晶片过程之后执行的组装和测试过程(组装过程或者封装过程)。

具体而言,晶片过程是用于通过光刻技术、CVD技术、溅射技术、蚀刻技术等的组合在由单晶硅等形成的半导体晶片的主表面(集成电路形成表面)上形成集成电路的过程。

另一方面,组装和测试过程包括:在衬底(引线框、布线衬底等)上装配从其晶片过程完成的半导体晶片获得的半导体芯片的过程(裸片键合过程);经由传导部件(接线、突出电极等)将衬底上装配的半导体芯片电耦合到衬底的外部端子的过程(键合过程);用密封体(树脂、陶瓷等)密封半导体芯片的过程;等等。

本发明人已经研究在组装和测试过程中的相应过程之间运送多个衬底而衬底存储于运送单元(组装架、组装批次、堆叠箱等)中。为了这样做,当在完成的半导体器件中发现缺陷时(即在执行缺陷分析时),需要能够执行包括对与使用的运送单元有关的信息的分析的缺陷分析(原因调查)。

本发明的其它目的和新特征将从本说明书的描述和附图中变得清楚。

下文简要地说明在本申请中公开的发明之中的典型发明的概况。

在本申请的一个实施例中的一种制造半导体器件的方法包括以下步骤:

(a)提供其中存储多个第一衬底的第一个架,第一个架具有第一架标识信息,第一架衬底各自具有用于相互区分它们并且与第一架标识信息关联的第一衬底标识信息;

(b)在第一组装和测试过程装置的加载器单元中设置第一个架,读取第一架的架标识信息,并且由此获得存储于第一个架中的第一衬底中的每个第一衬底的第一衬底标识信息;

(c)读取向第一组装和测试过程装置的卸载器单元设置的第二个架的架标识信息,并且向更高级系统登记第二个架作为用于存储第一衬底的架;

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