[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板，具有一表面；

一薄膜晶体管，设置在所述基板的所述表面上，且所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极、一漏极、一栅极绝缘层以及一半导体主动层，所述栅极、所述源极与所述漏极在垂直于所述表面的方向上分别重叠于一部分的所述半导体主动层，所述栅极绝缘层设置在所述栅极与所述半导体主动层之间，所述半导体主动层具有一信道区，设置在所述源极与所述漏极之间，所述信道区包括一主信道区以及多个次信道区，所述主信道区位于所述次信道区之间，所述主信道区的信道长度小于所述次信道区的信道长度，且所述主信道区的信道长度等于所述信道区的最小信道长度，其中信道长度是指所述信道区由所述漏极到所述源极之间的距离；以及

一共同电极，设置在所述薄膜晶体管上，所述共同电极绝缘于所述薄膜晶体管，所述共同电极覆盖至少部分的所述次信道区，且所述共同电极具有一开口，暴露出所述主信道区。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述共同电极在所述表面的垂直投影与所述主信道区在所述表面的垂直投影不重叠。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述开口在所述表面的垂直投影位于所述半导体主动层在所述表面的垂直投影内。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述开口暴露出一部分的所述次信道区。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述主信道区在所述表面的垂直投影的边缘与所述开口在所述表面的垂直投影的边缘之间的距离小于或等于2微米。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一像素电极，设置在所述栅极绝缘层上，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管的所述漏极；以及

一第一绝缘层，并设置在所述像素电极与所述共同电极之间。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述共同电极设置在所述第一绝缘层与所述像素电极上。

8.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，还包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述像素电极与所述栅极绝缘层之间，并设置在所述共同电极与所述栅极绝缘层之间。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，所述共同电极设置在所述第一绝缘层与所述像素电极上。

10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述共同电极设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，所述像素电极设置在所述第一绝缘层与所述共同电极上。

11.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层分别包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

12.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，所述第二绝缘层还包括有机绝缘材料。

13.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述半导体主动层为氧化铟镓锌，所述第一绝缘层靠近所述半导体主动层的位置的氧含量高于所述第一绝缘层远离所述半导体主动层的位置的氧含量。

14.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述共同电极或所述像素电极具有多条狭缝。