[发明专利]一种悬浮结构微波滤波器及其制备方法

权利要求书

1.一种悬浮结构微波滤波器，包括：

上层硅片，所述上层硅片的下表面刻蚀有凹腔，用于形成封装帽结构；

下层硅片，所述下层硅片的上表面沉积有介质薄膜，所述介质薄膜上形成有交指电极图形；

其特征在于，所述下层硅片上表面的介质薄膜下方的硅衬底被去除，形成所述介质薄膜的悬浮状态，所述上层硅片和所述下层硅片通过对准键合工艺堆叠组装。

2.根据权利要求1所述的悬浮结构微波滤波器，其特征在于，所述上层硅片和所述下层硅片均具有上下贯通的通孔。

3.根据权利要求1所述的悬浮结构微波滤波器，其特征在于，所述介质薄膜为双面介质薄膜，且所述介质薄膜的材料为氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的悬浮结构微波滤波器，其特征在于，所述上层硅片小于所述下层硅片，在所述下层硅片未被所述上层硅片覆盖的表面设置有器件输入输出端口。

5.一种根据权利要求1所述的悬浮结构微波滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供上层硅片和下层硅片；

步骤二、刻蚀所述上层硅片的下表面形成凹腔，并在所述上层硅片中刻蚀第一通孔；

步骤三、在所述下层硅片的上表面沉积生长介质薄膜，并在所述下层硅片中刻蚀第二通孔；

步骤四、在所述下层硅片的上表面溅射种子层，在所述种子层表面光刻所述交指电极图形，并电镀所述交指电极图形和所述第二通孔；

步骤五、在所述下层硅片的背面刻蚀所述交指电极图形下方的硅衬底，使得所述介质薄膜以及所述介质薄膜上的交指电极图形形成悬浮状态；

步骤六、对所述上层硅片的上下表面以及所述第一通孔内壁进行电镀；

步骤七、将所述上层硅片和所述下层硅片通过对准键合工艺堆叠组装。

6.根据权利要求5所述的悬浮结构微波滤波器的制备方法，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔的形状为方形或圆形，数量大于1个。

7.根据权利要求5所述的悬浮结构微波滤波器的制备方法，其特征在于，所述步骤三中的介质薄膜为双面介质薄膜，且所述介质薄膜的材料为氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求5所述的悬浮结构微波滤波器的制备方法，其特征在于，在所述步骤三中以所述介质薄膜为掩蔽层，通过光刻并刻蚀所述第二通孔。

9.根据权利要求5所述的悬浮结构微波滤波器的制备方法，其特征在于，所述步骤四中的种子层的材料为铬金、钛金或钛钨金。

10.根据权利要求5所述的悬浮结构微波滤波器的制备方法，其特征在于，在所述步骤五中包括：在所述下层硅片的背面干法刻蚀所述交指电极图形下方的硅衬底至所述下层硅片厚度的70-90％，再采用湿法腐蚀去除所述电极图形下方剩余的硅衬底。