[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。静态随机存取存储(SRAM)单元包括均在第一方向延伸的第一栅极和第二栅极。第一间隙在第一方向上将第一栅极与第二栅极分隔。SRAM单元包括在第一方向上延伸的Vcc接触件。第二间隙在垂直于第一方向的第二方向上将Vcc接触件与第一栅极分隔。Vcc接触件的区段在第一方向上没有与第一间隙重叠。SRAM单元包括在第一方向上延伸的Vss接触件。第三间隙在第二方向上将Vss接触件与第一栅极分隔。Vss接触件的区段被设置为邻近第一间隙。Vss接触件在第二个方向上小于Vcc接触件。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

在深亚微米集成电路技术中，嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)器件已经成为高速通信、图像处理和片上系统(SOC)产品的流行存储单元。微处理器和SOC中的嵌入式SRAM的数量增加以满足每一个新技术时代的性能要求。随着硅技术从一代到下一代的不断扩大，本征阈值电压(Vt)变化对最小几何尺寸块状平面晶体管的影响降低了互补金属氧化物半导体(CMOS)SRAM单元静态噪声容限(SNM)。这种由越来越小的晶体管几何形状引起的SNM的减少是不期望的。当Vcc按比例缩小至较低电压时，SNM进一步减小。

为了解决SRAM问题并且提高单元的收缩能力，在某些应用中经常考虑鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。FinFET提供了速度和器件稳定性。FinFET具有与顶面和相对两个侧壁相关的沟道(称为鳍沟道)。可以从额外的侧壁器件宽度(I_on性能)以及更好的短沟道控制(亚阈值泄漏)获得益处。因此，预期FinFET在栅极长度缩小和本征Vt波动方面具有优势。然而，现有的FinFET SRAM器件仍然存在缺点，例如与栅极端位置处的不期望变化相关的缺点，这可能会劣化栅极/接触隔离并不利地影响FinFET SRAM性能和/或可靠性。

因此，虽然现有的FinFET SRAM器件通常已经足够用于其预期目的，但它们还没有在各个方面都完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：细长栅极结构，在第一方向上延伸，其中，所述细长栅极结构具有第一端部、第二端部和设置在所述第一端部与所述第二端部之间的第三部分；第一导电接触件，在所述第一方向上延伸，所述第一导电接触件被设置为邻近所述细长栅极结构的第三部分，其中，所述第一导电接触件具有在所述第一方向上测量的第一尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上测量的第二尺寸；第二导电接触件，在所述第一方向上延伸，所述第二导电接触件被设置为邻近所述细长栅极结构的第一端部，其中，所述第二导电接触件具有在所述第一方向上测量的第三尺寸和在所述第二方向上测量的第四尺寸，其中，所述第一尺寸小于所述第三尺寸，并且所述第二尺寸大于所述第四尺寸；第一鳍结构，在顶视图中与所述细长栅极结构相交并且与所述第一导电接触件相交；以及第二鳍结构，在顶视图中与所述细长栅极结构相交并且与所述第二导电接触件相交，其中，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构均在所述第二方向上延伸，并且所述第一结构在所述第一方向与所述第二鳍结构分隔。

根据本发明的另一个方面，提供了一种静态随机存取存储(SRAM)单元，包括：第一栅极和第二栅极，均在第一方向上延伸，其中，第一间隙在所述第一方向上将所述第一栅极与所述第二栅极分隔；Vcc接触件，在所述第一方向上延伸，其中，第二间隙在垂直于所述第一方向的第二方向上将所述Vcc接触件和所述第一栅极分隔，并且所述Vcc接触件的区段在所述第一方向上没有与所述第一间隙重叠；以及Vss接触件，在所述第一方向延伸，其中，第三间隙在所述第二方向上将所述Vss接触件与所述第一栅极分隔，其中，所述Vss接触件的区段被设置为邻近所述第一间隙，并且所述Vss接触件在所述第二方向上小于所述Vcc接触件。