[发明专利]一种适用于微纳器件制造的离子注入机有效
申请号: | 201711269543.3 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN109872938B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 袁卫华;彭立波;孙雪平;易文杰;钟新华;程文进;胡振东;王迪平 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/09 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;徐好 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 器件 制造 离子 注入 | ||
1.一种适用于微纳器件制造的离子注入机,包括依次相连的离子源(1)、质量分析器(2)、束流聚焦电透镜系统(3)、束流静电扫描系统(4)及载片腔室(5),其特征在于:还包括用于调节束斑形状和束流大小的光阑组件(6)、以及用于点注入的点注入掩膜板(7),所述光阑组件(6)包括设于离子源(1)和质量分析器(2)之间的可调光阑(61)、设于质量分析器(2)和束流聚焦电透镜系统(3)之间的限束光阑(62)以及设于束流静电扫描系统(4)和载片腔室(5)之间的终端注入光阑(63),所述点注入掩膜板(7)位于载片腔室(5)内,所述终端注入光阑(63)和所述点注入掩膜板(7)上开设点注入微孔(8),所述点注入微孔(8)的孔径为20um至100um,离子注入机的注入剂量范围可达到109atoms/cm2至1011atoms/cm2。
2.根据权利要求1所述的适用于微纳器件制造的离子注入机,其特征在于:所述离子源(1)和所述载片腔室(5)内的载片台(51)均水平布置,且离子源(1)位于载片腔室(5)侧上方,所述质量分析器(2)的偏转角度为90°,所述束流聚焦电透镜系统(3)为双单元静电四极透镜,束流聚焦电透镜系统(3)的X方向聚焦透镜(31)位于质量分析器(2)下方,束流聚焦电透镜系统(3)的Y方向聚焦透镜(32)位于所述X方向聚焦透镜(31)下方,所述束流静电扫描系统(4)包括位于所述Y方向聚焦透镜(32)下方的Y方向扫描电场(41)、以及位于Y方向扫描电场(41)下方的X方向扫描电场(42),所述载片台(51)和所述点注入掩膜板(7)配置有水平面内的二维联动机构(52),所述二维联动机构(52)驱动载片台(51)和点注入掩膜板(7)完成注入定位。
3.根据权利要求2所述的适用于微纳器件制造的离子注入机,其特征在于:所述载片腔室(5)配置有用于所述载片台(51)和所述点注入掩膜板(7)视觉定位的工业相机。
4.根据权利要求2所述的适用于微纳器件制造的离子注入机,其特征在于:所述束流聚焦电透镜系统(3)为电磁透镜,各腔室采用独立的电磁铁系统生成电磁场。
5.根据权利要求2所述的适用于微纳器件制造的离子注入机,其特征在于:所述二维联动机构(52)包括纵向平移直线电缸(522)和两件设于纵向平移直线电缸(522)的横向平移直线电缸(521),所述载片台(51)设于其中一件横向平移直线电缸(521)上,点注入掩膜板(7)设于另一件横向平移直线电缸(521)上。
6.根据权利要求1或2或3所述的适用于微纳器件制造的离子注入机,其特征在于:所述离子源(1)为热阴极式离子源。
7.根据权利要求1或2或3所述的适用于微纳器件制造的离子注入机,其特征在于:所述束流聚焦电透镜系统(3)和所述束流静电扫描系统(4)之间还设有法拉第部件(9)。
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