[发明专利]利用溴化镧探测器测量中子剂量率的方法和中子剂量率仪

权利要求书

1.一种测量中子剂量率的方法，其特征在于，所述方法利用中子在溴化镧探测器中产生的中子特征γ能峰的净计数率与所述中子在该点造成的中子剂量率之间存在确定性的函数关系，通过测量γ能谱，并利用所述确定性的函数关系，计算并获得中子剂量率，

其中，所述确定性的函数关系为对数函数关系或线性拟合函数：

所述对数函数关系表示为：D_i＝alnNi+b，其中，D_i为中子剂量率，单位为μSv/h；N_i为入射中子与溴化镧晶体材料发生反应产生的特征γ能峰的净计数率，单位为cps；a，b为常数，且a>0；

所述线性拟合函数表示为：D_i＝kN_i+c，其中，D_i为中子剂量率，单位为μSv/h；N_i为入射中子与溴化镧晶体材料发生反应产生的特征γ能峰的净计数率，单位为cps；k，c为常数，且k>0。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

采用溴化镧探测器对中子进行探测，以便获得特征γ能峰；

基于所述特征γ能峰的净计数率和所述确定性的函数关系，计算获得中子剂量率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定性的函数关系中，所述净计数率的范围为：N_i>0。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定性的函数关系中，所述中子剂量率的测量范围为：D_i>0。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中子由锎源产生。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述特征γ能峰包括选自下列至少之一：22.34±5keV、54.64±5keV、83.05±5keV、101.1±5keV、119.2±5keV、173.5±5keV、207.1±5keV、217.5±5keV、243.3±5keV、262±5keV、276.7±5keV、294.9±5keV、307.2±5keV、335±5keV、344±5keV、387.9±5keV、536.9±10keV、606.9±10keV、650.5±10keV、725.1±10keV、766.8±10keV 842.7±10keV、872.4±10keV、962.8±10keV、1002±10keV、1043±10keV、1084±10keV、1115±10keV、1268±10keV。

7.一种中子剂量率仪，其特征在于，所述中子剂量率仪具有溴化镧探测器，所述溴化镧探测器适于与入射中子发生反应产生特征γ能峰，并探测得到特征γ全能峰的能谱，

其中，所述中子剂量率仪的工作原理为：入射中子与溴化镧晶体材料发生反应，产生不同能量的特征γ能峰，特征γ能峰的净计数率与辐射场的中子剂量率之间存在权利要求1-6中任一项所述的确定性的函数关系，不同能量的特征γ能峰的净计数率的变化与中子剂量率的变化趋势是一致的，通过测量任何一个或几个中子特征γ能峰的净计数率组合与相应的解谱计算，可得到被测辐射场的中子剂量率。