[发明专利]一种硅片的处理方法在审
| 申请号： | 201711271080.4 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109872941A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵向阳 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 氧化膜 硅片表面 金属离子 去除 低温加热 氧化处理 附着 金属离子扩散 金属离子去除 酸性腐蚀溶液 吸附金属离子 腐蚀 扩散 清洁 | ||
1.一种硅片的处理方法，其特征在于，所述硅片的处理方法包括以下步骤：
取一硅片进行氧化处理，以在所述硅片表面形成氧化膜；
对所述硅片进行低温加热处理，使所述硅片内部的金属离子扩散至所述硅片表面的氧化膜中；
去除所述硅片表面的氧化膜；
清洁所述硅片。
2.如权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，对所述硅片的氧化处理包括：将所述硅片置于700℃至1000℃的环境中，注入纯氧或混合氧进行氧化，氧化时长为10分钟至1个小时。
3.如权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，对所述硅片进行低温加热处理包括：将氧化处理后的所述硅片置于200℃至300℃加热的平台上，时间为2至3个小时，使所述硅片中的金属离子在低温加热后扩散至所述硅片表面的氧化膜中。
4.如权利要求3所述的硅片的处理方法，其特征在于，在对所述硅片低温加热使所述金属离子扩散的过程中，同时对所述硅片进行微波辐射。
5.如权利要求4所述的硅片的处理方法，其特征在于，在去除所述硅片表面的氧化膜之前，所述硅片在常温中冷却半个小时以上，以使所述金属离子固定在所述氧化膜上。
6.如权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，利用酸性溶液对所述硅片表面的氧化膜进行腐蚀以去除所述硅片表面的氧化膜。
7.如权利要求6所述的硅片的处理方法，其特征在于，在所述酸性溶液对所述硅片表面的氧化膜腐蚀过程中，同时注入酸性蒸汽对所述硅片进行腐蚀。
8.如权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，采用硅片专用的清洗药液清洗所述硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
