[发明专利]一种微型超薄氮化铝陶瓷电路板及制备方法

权利要求书

1.一种微型超薄氮化铝陶瓷电路板制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、对具有厚度为0.25～0.38mm、长5～60mm、宽5～60mm的氮化铝陶瓷基片进行磨削过程直至将其厚度加工到0.10～0.25mm；所述步骤1中磨削过程采用粒度在220K以下的砂轮，每次砂轮对氮化铝陶瓷基片磨削量小于0.005mm;

步骤2、用激光对氮化铝陶瓷基片进行预切割在其上形成激光切割线；所述步骤2中采用激光的光点直径小于0.03mm，切割深度为0.02～0.12 mm;

步骤3、按照电路图和在氮化铝陶瓷基片上形成的激光切割图形制做相应厚度的丝印板；所述丝印板厚度为15um～45um;

步骤4、使用电子浆料将丝印板中电路图形印在氮化铝陶瓷基片上；

步骤5、将带有电路图形的氮化铝陶瓷基片进行真空烧结形成氮化铝陶瓷电路板；所述步骤5中真空烧结过程中，真空炉在温度上升或下降时均控制在5℃/min;在真空炉烧结时，真空度必需达到0.0065Pa以下，才能加热，而且保证整个过程从加热开始到电路板整个冷却真空度达到0.0065Pa以下；

步骤6、将烧结好的氮化铝陶瓷电路板沿其上的激光切割线分割成若干微型氮化铝陶瓷电路板;其中：

所述微型氮化铝陶瓷电路板，所述基片上印制有带电路图形的金属层，所述基片尺寸长为1.0～10mm；宽为1.0～10mm；厚度为0.1～0.25mm，所述金属层由若干导流块构成，导流块厚度为0.005～0.1mm,导流块宽度为0.15～0.7mm，所述导流块之间间距在0.05～0.25mm之间；所述导流块为矩阵排列的导铜条。

2.根据权利要求1所述的一种微型超薄氮化铝陶瓷电路板制备方法，其特征在于：所述电路图形为pcb集成电路。