[发明专利]基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711272316.6 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN108039416A 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 彭俊彪;江从彪;邹建华;王磊;何志伟;钟镇基;穆兰 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 赵蕊红
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 量子 电致发光 白光 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管,其特征在于:由阳极、阴极以及叠设于阳极和阴极之间的红、绿、蓝发光单元构成;

相邻的两个发光单元之间邻接的两个功能层为连接层,连接层由位于下方的发光单元中的电子传输层和位于上方的发光单元中的空穴注入层构成;

作为连接层的空穴注入层为多金属氧酸盐薄膜,作为连接层的电子传输层为n型金属氧化物纳米颗粒薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管,其特征在于:多金属氧酸盐为磷酸钼或者磷钨酸中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管,其特征在于:n型金属氧化物纳米颗粒为氧化锌、氧化钛或者氧化锌掺杂或者氧化钛掺杂的纳米颗粒中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管,其特征在于:每个发光单元自下而上依次包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层。

5.根据权利要求4所述的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管,其特征在于:最底层发光单元的空穴注入层为溶液加工型的磷酸钼或者磷钨酸。

6.根据权利要求4所述的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管,其特征在于:最底层发光单元的空穴注入层为PEDOT:PSS。

7.根据权利要求6所述的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管,其特征在于:空穴注入层的厚度为20-50nm,空穴传输层的厚度为10-100nm,量子点发光层的厚度为20-50nm,电子传输层的厚度为20-200nm。

8.如权利要求1至7任意一项的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管的制备工艺,其特征在于:通过如下步骤进行,

S1.将基板进行清洗,清洗完毕后烘干备用;

S2.在旋涂加工第一空穴注入层之前,将所用基板进行O2-Plasma处理;采用旋涂工艺,沉积底层发光单元的空穴注入层;随后将基板传入N2手套箱中进行热处理,温度为130-160℃,加热10-20min;

S3.按照器件结构的层叠顺序,在手套箱中依次旋涂加工空穴传输层、量子点发光层和电子传输层;每旋涂一层后进行热处理加工,使薄膜干燥;

S4.旋涂完所有功能层之后,将器件传入真空镀仓中,进行阴极蒸镀;蒸镀的阴极的银厚度为100-200nm。

9.根据权利要求8所述的基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管的制备工艺,其特征在于:

步骤S1具体是,将基板依次置入四氢呋喃、异丙醇洗液清洗,再放入去离子水中超声清洗,每次超声时间为10-20min;待超声完成之后,将基板置于烘箱内烘干备用;

步骤S2具体是:在旋涂加工第一空穴注入层之前,将所用基板进行O2-Plasma处理;采用旋涂工艺,沉积底层发光单元的空穴注入层;随后将基板传入N2手套箱中进行热处理,温度为150℃,加热15min;

步骤S3中,每旋涂一层后进行热处理加工,其中ZnO在150℃下加热10min,其他层在150℃下加热5min,使薄膜干燥。

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