[发明专利]Ta-C-N陶瓷先驱体合成方法有效
| 申请号： | 201711272909.2 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107986792B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 简科;王军;王浩;邵长伟;王小宙;苟燕子;谢征芳 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 董惠文 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ta 陶瓷 先驱 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Ta-C-N陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
在保护气氛下，向钽源化合物中加入氰胺化合物后再加入吡啶，第一次升温至110~120℃，搅拌反应6~24 h，之后在保护气氛下，第二次升温至200~250 ℃，保温1~2h，冷却至室温得到Ta-C-N陶瓷先驱体，其中，所述钽源化合物为TaCl5、TaBr5或TaI5中的任意种的混合物或任一种；
所述氰胺化合物为至少含有两个N-H键且不含氧的氰胺化合物中的任意种的混合物或任一种；
所述钽源化合物和所述氰胺化合物按Ta-X键与N-H键的摩尔比为1:1~1:5混合。
2.根据权利要求1所述的Ta-C-N陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，所述搅拌反应时间为15~20 h。
3.根据权利要求1~2中任一项所述的Ta-C-N陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，所述保护气氛为纯度≥99.999%的氮气或氩气。
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