[发明专利]用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件

权利要求书

1.一种存储介质材料作为存储介质在人工神经网络突触仿生器件中的应用，该材料在电信号操作下实现多态高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变；其中500皮秒≤电信号脉冲宽度≤500纳秒，其特征在于，存储介质材料是由O，Ti，Sb，Te元素组成的O_x（TiSb_yTe_z）_100-x材料；其中3≤x≤10，0.25≤y/z≤4，12≤y+z≤50。

2.用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，为T型结构，其特征在于，突触仿生器件从上至下依次包括顶电极、存储介质层、基底，基底内贯穿有底电极，底电极一端与存储介质层接触，另一端裸露；顶电极与存储介质层之间无缝隙设置；存储介质层采用权利要求1中所述的O_x（TiSb_yTe_z）_100-x材料；

与存储介质层相比，底电极尺寸较小。

3.如权利要求2所述的用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，其特征在于，顶电极的厚度为20-500nm,存储介质层的厚度为50-200nm,底电极为圆柱体结构，直径为10-300nm。

4.用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，为限制型结构，其特征在于，突触仿生器件包括顶电极、基底、存储介质层、底电极；基底纵向开有一通孔；顶电极设置在基底的上表面，且基底通孔上端部分设有顶电极；位于通孔部分顶电极的下端设有存储介质层；存储介质层的下端设有底电极；其中存储介质层、底电极全部位于基底通孔内；顶电极与存储介质层之间无缝隙设置；存储介质层采用权利要求1中所述的O_x（TiSb_yTe_z）_100-x材料；

底电极与存储介质层的面积相等或者接近。

5.如权利要求4所述的用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，其特征在于，顶电极位于基底的上表面部分的厚度为20-500nm,顶电极位于基底通孔内的厚度为20-100nm,存储介质层的厚度为50-200nm, 通孔的直径为10-300nm，底电极为圆柱体结构，直径为10-300nm。

6.用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，为刀片状结构，其特征在于，突触仿生器件从上至下依次包括顶电极、存储介质层、基底，底电极贯穿基底，底电极一端与存储介质层接触，另一端裸露；顶电极与存储介质层之间无缝隙设置；底电极的剖面呈刀片状，刀柄与存储介质层相接触，刀面顶部裸露；存储介质层采用权利要求1中所述的O_x（TiSb_yTe_z）_100-x材料；

与存储介质层相比，底电极尺寸较小。

7.如权利要求6所述的用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，其特征在于，顶电极的厚度为20-500nm,存储介质层的厚度为50-200nm,底电极刀柄部分高度为20-50nm, 刀柄部分宽度为5-50nm,深度为20-500nm。

8.用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，为桥状结构，其特征在于，突触仿生器件包括基底、存储介质层、电极；电极横向贯穿基底，存储介质层纵向贯穿电极，存储介质层上下两面与基底相接触；电极与存储介质层之间无缝隙设置；存储介质层采用权利要求1中所述的O_x（TiSb_yTe_z）_100-x材料。

9.如权利要求8所述的用于人工神经网络中的O-Ti-Sb-Te基突触仿生器件，其特征在于，电极的厚度为20-300nm,存储介质层的长宽高尺寸均为20-300nm。