[发明专利]化合物硫硅锌锂和硫硅锌锂红外非线性光学晶体及制备方法和应用

权利要求书

1.一种硫硅锌锂中远红外非线性光学晶体，其特征在于该晶体的化学式为Li₂ZnSiS₄，分子量为235.58，非中心对称结构单晶体，空间群为Pna2(1)，晶胞参数a = 12.892（2）Å，b= 7.7739（12）Å，c = 6.1451（10）Å， Z = 4，单胞体积V = 615.88（17）ų。

2.如权利要求1所述的硫硅锌锂中远红外非线性光学晶体的制备方法，其特性在于按下列步骤进行：

a、在含水量和含氧气量均0.01-0.1ppm的密闭容器内按摩尔比2:1:1:4称取单质锂、锌、单质硅和单质硫混合均匀，放入干净的石墨坩埚中，然后装入石英玻璃管中，将石英管在真空度为10^-5-10^-3Pa抽真空后封口，其中所述的密闭容器为充有惰性气体为氮气的手套箱；

b、将步骤a中的封好的石英管放入高温炉中，以升温速率为35-40℃/h升至900-950℃，保温，保温时间为15-20h；

c、再以温度3-5℃/h的速率冷却降至室温，时间100-150h，得到硫硅锌锂Li₂ZnSiS₄中远红外非线性光学晶体。

3.如权利要求2所述的硫硅锌锂中远红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于步骤b中加热升温至900℃。

4.如权利要求2所述的硫硅锌锂中远红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于步骤c中硫硅锌锂冷却降温的速率为4℃/h。

5.如权利要求1所述的硫硅锌锂中远红外非线性光学晶体在制备红外波段激光变频晶体、红外电-光装置、红外通讯器件或红外激光制导器件中的用途。