[发明专利]封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成封装件的方法，包括：

形成延伸至空白衬底的第一多个接合焊盘；

形成延伸至第一器件管芯和第二器件管芯的半导体衬底的第二多个接合焊盘；

将所述第一器件管芯和所述第二器件管芯分别接合至所述空白衬底，其中，所述接合包括通过金属至金属直接接合来接合所述第一多个接合焊盘和所述第二多个接合焊盘；

用间隙填充材料填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙，其中，所述间隙填充材料的顶部覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；

形成通孔，所述通孔穿过所述间隙填充材料的顶部，其中，所述通孔电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；

使用镶嵌工艺在所述间隙填充材料上方形成再分布线；以及

在所述再分布线上方形成电连接至所述再分布线的电连接件，

其中，所述间隙填充材料是非聚合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述间隙包括沉积氧化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一器件管芯和所述第二器件管芯接合至所述空白衬底还包括熔融接合。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述空白衬底是空白半导体衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述再分布线包括形成互连所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的多条金属线和通孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空白衬底是玻璃或金属衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述间隙填充材料和所述空白衬底锯切成相同的封装件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一器件管芯和所述第二器件管芯位于所述相同的封装件中。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述空白衬底中形成微沟道，其中，所述微沟道配置为传导冷却剂。

10.根据权利要求1所述的方法，形成所述通孔包括：

蚀刻所述间隙填充材料和所述第一器件管芯中的钝化层以形成通孔开口，其中，顶部金属焊盘暴露于所述通孔开口，并且所述顶部金属焊盘位于所述第一器件管芯的低k介电层中；以及

用导电材料填充所述通孔开口。

11.一种形成封装件的方法，包括：

形成延伸至空白块状硅衬底的第一多个接合焊盘；以及

形成延伸至第一器件管芯和第二器件管芯的半导体衬底的第二多个接合焊盘；

将所述第一器件管芯和所述第二器件管芯分别附接至所述空白块状硅衬底，其中，所述附接包括通过金属至金属直接接合来接合所述第一多个接合焊盘和所述第二多个接合焊盘；

用介电材料填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙，其中，所述介电材料的顶部覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；

形成穿过所述介电材料的顶部的通孔，其中，所述通孔电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；

在所述介电材料上方形成多个介电层；

使用双镶嵌工艺在所述多个介电层中形成再分布线；

在所述再分布线上方形成电连接至所述再分布线的电连接件；以及

实施管芯锯切以割穿所述空白块状硅衬底、所述介电材料和所述多个介电层以形成多个封装件，

其中，所述介电材料是非聚合物。

12.根据权利要求11所述的方法，在所述管芯锯切之后，所述第一器件管芯和所述第二器件管芯位于所述多个封装件中的相同的封装件中。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述再分布线是间距小于0.8μm的细间距再分布线。