[发明专利]TFT、制作方法、阵列基板、显示面板及装置

权利要求书

1.一种TFT，其特征在于，包括：

在衬底上形成的含氢缓冲层，包括含氢第一区域和不含氢第二区域；

在所述缓冲层上形成的氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层与所述缓冲层直接接触，包括与所述含氢第一区域对应的导体化区域和与所述不含氢第二区域对应的半导体化区域；

在所述导体化区域上形成的源极或漏极，所述源极或漏极与所述导体化区域电连接；以及

在所述半导体化区域上形成的栅极结构。

2.一种TFT的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成含氢缓冲层，包括含氢第一区域和不含氢第二区域；

在所述缓冲层上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层与所述缓冲层直接接触；

使缓冲层中含氢第一区域的氢进入对应的所述氧化物半导体层而等离子化形成导体化区域，对应于所述不含氢第二区域的未被等离子化的氧化物半导体层形成为半导体化区域；

在所述导体化区域上形成源极或漏极，所述源极或漏极与所述导体化区域电连接；以及

在所述半导体化区域上形成栅极结构。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，

所述在衬底上形成含氢缓冲层，包括含氢第一区域和不含氢第二区域进一步包括：

在衬底上形成不含氢的缓冲层；

在不含氢的缓冲层上形成图案化的光刻胶；

对未被所述光刻胶遮挡的缓冲层进行注氢处理，得到含氢的第一区域，光刻胶遮挡的缓冲层形成为不含氢的第二区域；

去除光刻胶；

或者

所述在衬底上形成含氢缓冲层，包括含氢第一区域和不含氢第二区域进一步包括：

在所述衬底上形成不含氢材料层；

在所述不含氢材料层中形成开孔，露出所述衬底；

在所述开孔中形成含氢材料层；

平坦化以使得所述不含氢材料层和含氢材料层的远离所述衬底的表面齐平，其中所述含氢材料层形成为第一区域，所述不含氢材料层形成为第二区域。

4.根据权利要求2所述方法，其特征在于，根据所述氧化物半导体层的厚度选择所述缓冲层中氢的含量。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1所述的TFT。

6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求5所述的阵列基板。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示面板。