[发明专利]一种肖特基二极管器件及制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成在所述半导体衬底上的外延层，其中，所述外延层开设有多个深槽；

形成在所述深槽内壁的电介质层；

形成于所述深槽内且位于在所述电介质层之间的多晶硅；及

形成在相邻的所述深槽之间的所述外延层表面的金属电极层，所述金属电极层通过接触孔与所述多晶硅相连；

其中，所述电介质层至少包括采用第一材料形成的第一电介质层和采用第二材料形成的第二电介质层，所述第一电介质层靠近所述深槽开口方向，所述第二电介质层靠近所述深槽的底部，所述第一材料的介电常数大于所述第二材料的介电常数。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管器件，其特征在于，所述第一电介质层位于所述深槽的侧壁上方，所述第二电介质层位于所述深槽的侧壁下方及所述深槽的底部。

3.如权利要求1或2所述的肖特基二极管器件，其特征在于，所述第二电介质层的厚度大于所述第一电介质层的厚度。

4.如权利要求1或2所述的肖特基二极管器件，其特征在于，所述电介质层还包括采用第三材料形成的第三电介质层，所述第三材料的介电常数大于所述第二材料的介电常数且小于所述第一材料的介电常数，所述第三电介质层位于所述第一电介质层与所述第二电介质层之间并且与所述第一电介质层和所述第二电介质层接触。

5.如权利要求1或2所述的肖特基二极管器件，其特征在于，所述外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层位于相邻的所述第一电介质层之间，所述第二外延层位于相邻所述的第二电介质层之间，所述第一外延层具有第一宽度，所述第二外延层具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

6.如权利要求5所述的肖特基二极管器件，其特征在于，所述第一宽度为所述第二宽度的30％-70％。

7.如权利要求1所述的肖特基二极管器件，其特征在于，所述第一材料为氮化硅，所述第二材料为二氧化硅。

8.一种肖特基二极管器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在半导体衬底上通过外延生长形成外延层；

步骤二、在所述外延层上沉积第一掩膜；

步骤三、对所述外延层进行深槽刻蚀，在所述外延层上沉积有所述第一掩膜以外的位置进行刻蚀形成深槽；

步骤四、去除所述第一掩膜，在所述深槽内部表面形成第二电介质层；

步骤五、在形成有所述第二电介质层的深槽中沉积多晶硅；

步骤六、对所述第二电介质层进行刻蚀形成沟槽，在刻蚀形成的沟槽中沉积第一电介质层，所述第一电介质层靠近所述深槽开口方向，所述第二电介质层靠近所述深槽的底部，所述第一电介质层的介电常数大于所述第二电介质层的介电常数；

步骤七、在所述外延层上形成金属电极层，所述金属电极层与所述多晶硅相连。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第二电介质层的厚度大于所述第一电介质层的厚度。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层位于相邻的所述第一电介质层之间，所述第二外延层位于相邻的所述第二电介质层之间，所述第一外延层具有第一宽度，所述第二外延层具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。