[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上方形成第一栅极结构和第二栅极结构；

在所述第一栅极结构上方和所述第二栅极结构上方形成侧壁间隔件材料；

对所述侧壁间隔件材料实施第一蚀刻工艺以形成围绕所述第一栅极结构的第一中间侧壁间隔件并且形成围绕所述第二栅极结构的第二侧壁间隔件；

在所述衬底上方形成掩模材料，其中，所述第一中间侧壁间隔件的一部分从所述掩模材料向外突出并且所述第二侧壁间隔件由所述掩模材料完全覆盖；以及

对所述第一中间侧壁间隔件的从所述掩模材料向外突出的一部分实施第二蚀刻工艺以形成凹进至所述第一栅极结构的第一最上表面之下的第一侧壁间隔件，

其中，所述第二蚀刻工艺使得所述第一侧壁间隔件在所述掩模材料上方具有比所述第一中间侧壁间隔件的从所述掩模材料向外突出的一部分的侧壁更线性的侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一侧壁间隔件的顶部沿着所述第一最上表面和所述第二栅极结构的第二最上表面之间的水平面布置。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一侧壁间隔件具有与所述第二侧壁间隔件的第二截面轮廓不同的形状和尺寸的第一截面轮廓。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一侧壁间隔件具有第一下部区域和第一上部区域，所述第一上部区域具有第一成角度的侧壁，所述第一成角度的侧壁使得所述第一侧壁间隔件的宽度单调递减；以及

其中，所述第二侧壁间隔件具有第二下部区域和第二上部区域，所述第二上部区域具有第二成角度的侧壁，所述第二成角度的侧壁使得所述第二侧壁间隔件的宽度单调递减。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一侧壁间隔件具有在所述第一下部区域和所述第一上部区域之间延伸的凸缘。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上方形成接触蚀刻停止层，其中，所述接触蚀刻停止层通过所述第一侧壁间隔件与所述第一栅极结构分隔开并且通过所述第二侧壁间隔件进一步与所述第二栅极结构分隔开。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述接触蚀刻停止层接触所述第一侧壁间隔件的侧壁和所述第一栅极结构的侧壁。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过不同的沉积和图案化工艺形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一侧壁间隔件在所述第一最上表面之下凹进10nm和20nm之间的范围内的距离。

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上方的第一多个栅极结构上方和第二多个栅极结构上方沉积侧壁间隔件材料；

对所述侧壁间隔件材料实施第一蚀刻工艺以形成围绕所述第一多个栅极结构的第一中间侧壁间隔件并且形成围绕所述第二多个栅极结构的第二侧壁间隔件；

在所述衬底上方形成光刻胶层，其中，所述光刻胶层具有位于所述第一中间侧壁间隔件的顶部之下并且位于所述第二侧壁间隔件的顶部之上的上表面；以及

利用位于所述衬底上方的所述光刻胶层，实施第二蚀刻工艺，以去除所述第一中间侧壁间隔件的一部分并且形成凹进至所述第一多个栅极结构的最上表面之下的第一侧壁间隔件，

其中，所述第二蚀刻工艺使得所述第一侧壁间隔件在所述光刻胶层上方具有比所述第一中间侧壁间隔件的从所述光刻胶层向外突出的一部分的侧壁更线性的侧壁。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在邻近的所述第一多个栅极结构之间形成源极/漏极区域；

在所述第一侧壁间隔件和所述第二侧壁间隔件之间形成层间介电层；

蚀刻所述层间介电层以在所述源极/漏极区域上方形成接触孔，其中，所述接触孔在邻近的所述第一侧壁间隔件之间延伸；以及

在所述接触孔内沉积导电材料。