[发明专利]用于半导体制造的混合双重图案化方法

说明书

一种用第一光刻技术和不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法，该方法包括提供具有IC图案的IC的布局；并且从该布局导出图案。该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边。该顶点代表IC图案。将棱边分成至少两种类型，第一类型连接将分别用第一光刻技术和第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型连接将在相同的工艺中使用第一光刻技术图案化，或者将分别用第一和第二光刻技术图案化的两个顶点。该方法还包括将顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上分别使用第一和第二光刻技术图案化对应于第一和第二子集的IC图案。本发明实施例涉及用于半导体制造的混合双重图案化方法。

技术领域

本发明实施例涉及用于半导体制造的混合双重图案化方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小已经增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC制造中的类似发展。

例如，随着几何尺寸缩小，传统的光刻工艺通常难以形成具有这些小尺寸的半导体部件。解决该问题的一种方法是使用双重阵列(DP)方法。典型的DP方法将IC的布局分解成两个子集并且为每个子集制造光掩模。在两个光刻工艺中用两个光掩模图案化晶圆。两个光刻工艺的图像彼此重叠以共同在晶圆上产生更密集的图像。在传统的DP方法中，两个光刻工艺具有相同的分辨率，这在一些情况下限制了通过DP方法可以产生的最小临界尺寸(CD)。需要这些领域的改进。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种利用第一光刻技术和与所述第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法，所述方法包括以下步骤：提供IC的布局，所述布局具有一组IC图案；从所述布局导出图案，所述图案具有顶点和连接一些所述顶点的棱边，所述顶点代表所述IC图案，将所述棱边分为至少两种类型，第一类型的棱边连接将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或者将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点；以及使用计算机化IC工具，将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述IC图案，并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述IC图案。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种利用第一光刻技术和比所述第一光刻技术具有更低的分辨率的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法，包括以下步骤：提供IC的布局，所述布局具有一组IC图案；从所述布局导出图案，其中，用顶点代表所述IC图案和用连接对应的顶点的棱边代表所述IC图案之间的间隔；将所述棱边分类成两种类型，第一类型的棱边连接将用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术分别图案化的两个顶点、第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或将用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术分别图案化的两个顶点；以及将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述IC图案以形成第一蚀刻掩模，并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述IC图案以形成第二蚀刻掩模，其中，所述第一蚀刻掩模和所述第二蚀刻掩模将所述IC图案共同转移至所述晶圆上。