[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和第二区，第二区与第一区邻接；

形成本征鳍部和伪鳍部，本征鳍部位于半导体衬底第一区上，伪鳍部位于半导体衬底第二区上；

在半导体衬底第一区和第二区上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖伪鳍部的部分侧壁和本征鳍部的部分侧壁；

在本征鳍部表面形成保护层，本征鳍部中高于第一隔离层表面的区域被所述保护层覆盖；

去除伪鳍部和第二区的第一隔离层；

去除伪鳍部和第二区的第一隔离层后且在形成所述保护层之后，在半导体衬底第二区上形成第二隔离层；

形成所述第二隔离层的方法包括：采用流体化学气相沉积工艺在半导体衬底第二区上和保护层上形成第二隔离膜；回刻蚀第二隔离膜以去除保护层上的第二隔离膜，且使第二区的第二隔离膜形成第二隔离层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离层的方法包括：在半导体衬底、本征鳍部和伪鳍部上形成第一隔离膜；平坦化第一隔离膜以去除本征鳍部和伪鳍部上的第一隔离膜；平坦化第一隔离膜后，回刻蚀第一隔离膜，使第一隔离膜形成所述第一隔离层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离膜的工艺包括流体化学气相沉积工艺；

形成第一隔离膜的步骤包括：在半导体衬底、本征鳍部和伪鳍部上形成第一隔离流体层；进行第一水汽退火，使第一隔离流体层形成第一隔离膜。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一水汽退火的参数包括：采用的气体包括氧气、臭氧和气态水，退火温度为350摄氏度～750摄氏度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述保护层后，去除伪鳍部和第二区的第一隔离层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除伪鳍部和第二区的第一隔离层之前，所述保护层还覆盖伪鳍部中高于第一隔离层表面的区域；在去除伪鳍部和第二区的第一隔离层的过程中，去除第二区的保护层。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除伪鳍部和第二区的第一隔离层的方法包括：在第一隔离层、伪鳍部、本征鳍部和保护层上形成平坦层，平坦层的整个表面高于本征鳍部和伪鳍部的顶部表面；在平坦层的表面形成底部抗反射层；在底部抗反射层的表面形成图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀底部抗反射层、平坦层、伪鳍部和第二区的第一隔离层，直至暴露出第二区半导体衬底的表面；以光刻胶层为掩膜刻蚀底部抗反射层、平坦层、伪鳍部和第二区的第一隔离层后，去除底部抗反射层、平坦层和光刻胶层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一隔离层后，形成所述保护层；所述保护层覆盖本征鳍部中高于第一隔离层表面的区域、以及第一区第一隔离层表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除伪鳍部和第二区的第一隔离层后，形成所述保护层；或者，在去除伪鳍部和第二区的第一隔离层之前，形成所述保护层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一隔离层之前，形成所述保护层；所述保护层位于本征鳍部的整个表面；形成第一隔离层后，第一隔离层和本征鳍部之间具有保护层。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2nm～10nm。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为SiN、SiCN、SiBN、TiN或TaN。