[发明专利]一种瞬时掉电时MCU的内存数据保护方法和装置

权利要求书

1.一种瞬时掉电时MCU的内存数据保护方法，所述MCU不具备备份内存功能，其所述MCU的静态随机存取存储器SRAM不需要使用MCU芯片的主时钟分频，其特征在于，所述方法包括：

在MCU供电端增加一个储能电容器；

检测MCU的外部供电电压，当外部供电电压低于预设电压阈值时，进行低功耗处理；

当MCU的外部供电恢复时，使用SRAM中的数据恢复系统至掉电前的工作状态。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当外部供电恢复时，使用SRAM中的数据恢复系统至掉电前的工作状态之前，校验所述SRAM中的数据是否完整，如果所述数据完整，则执行所述使用SRAM的数据恢复系统至掉电前的工作状态的步骤，如果所述数据不完整，清除所述SRAM中的数据，并进行初始化。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述校验所述SRAM中的数据是否完整包括：

标记SRAM缓存区域的关键数据，校验所述关键数据的标记掉电前后是否一致，如果一致，则校验所述SRAM中的数据完整。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低功耗处理包括：

将所有外设电子元器件的工作模式转换为低功耗工作模式，并将所述处理器的工作模式转换为低功耗工作模式，使得外设电子元器件和所述处理器进入极低电流工作状态。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述储能电容器提供的电荷高于所述SRAM的保持数据不丢失的电荷。

6.一种瞬时掉电时MCU的内存数据保护装置，所述MCU不具备备份内存功能，其所述MCU的静态随机存取存储器SRAM不需要使用MCU芯片的主时钟分频，其特征在于，在MCU供电端增加一个储能电容器，所述装置包括：

低功耗处理单元，用于检测MCU的外部供电电压，当外部供电电压低于预设电压阈值时，进行低功耗处理；

状态恢复单元，用于当MCU的外部供电恢复时，使用SRAM的数据恢复系统至掉电前的工作状态。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括数据校验单元，

所述数据校验单元，用于当外部供电恢复时，使用SRAM中的数据恢复系统至掉电前的工作状态之前，校验所述SRAM中的数据是否完整，如果所述数据完整，则执行所述使用SRAM的数据恢复系统至掉电前的工作状态的步骤，如果所述数据不完整，清除所述SRAM中的数据，并进行初始化。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述数据校验单元，具体用于标记SRAM缓存区域的关键数据，校验所述关键数据的标记掉电前后是否一致，如果一致，则校验所述SRAM中的数据完整。

9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述低功耗处理单元，具体用于将所有外设电子元器件的工作模式转换为低功耗工作模式，并将所述处理器的工作模式转换为低功耗工作模式，使得外设电子元器件和所述处理器进入极低电流工作状态。

10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述储能电容器提供的电荷高于所述SRAM的保持数据不丢失的电荷。