[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括单元结构的堆叠结构、电极结构和加热电极。每个单元结构包括顺序地堆叠的盖层、选择层、缓冲层、可变电阻层和上电极层。电极结构在穿过堆叠结构的开口中，与缓冲层、可变电阻层和上电极层电隔离并且电连接到选择层。加热电极在可变电阻层与选择层之间并且操作为传递热到可变电阻层。

技术领域

这里描述的一个或更多个实施方式涉及半导体器件。

背景技术

正在不断地尝试提高存储器件的集成度。一种尝试涉及开发具有垂直堆叠布置的存储单元的可变电阻存储器件。

发明内容

根据一个或更多个实施方式，半导体器件包括：堆叠结构，包含堆叠在基板上的多个单元结构；所述多个单元结构的每个包括顺序地堆叠的盖层、选择层、缓冲层、可变电阻层和上电极层；电极结构，在穿过堆叠结构的开口中，电极结构与缓冲层、可变电阻层和上电极层电隔离并且电连接到选择层；以及加热电极，在可变电阻层与选择层之间，加热电极用于传递热到可变电阻层。

根据一个或更多个其它实施方式，半导体器件包括：堆叠结构，包括堆叠在基板上的多个单元结构，所述多个单元结构的每个包括堆叠的绝缘图案和下电极层；选择图案，在穿过堆叠结构的开口的侧壁上；电极结构，在选择图案上并且填充开口；以及可变电阻层，在下电极层与选择图案之间，可变电阻层直接接触选择图案。

根据一个或更多个其它实施方式，半导体器件包括：电极结构；以及在堆叠中的多个单元结构，其中所述多个单元结构的每个对应于存储单元并且包括选择层、可变电阻层、加热层和电极层，电极结构电连接到选择层并且与可变电阻层、加热层和电极层电隔离，加热层用于传递热到可变电阻层。

附图说明

通过参考附图详细描述示范实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1和2示出可变电阻存储器件的一实施方式；

图3示出可变电阻存储器件的平面图；

图4至11示出用于制造可变电阻存储器件的方法的一实施方式的阶段；

图12和13示出可变电阻存储器件的另一实施方式；

图14至19示出用于制造可变电阻存储器件的方法的另一实施方式的阶段；

图20和21示出可变电阻存储器件的另一实施方式；

图22示出可变电阻存储器件的另一实施方式；

图23和24示出用于制造可变电阻存储器件的方法的另一实施方式的阶段；

图25示出可变电阻存储器件的另一实施方式；

图26和27示出用于制造可变电阻存储器件的方法的另一实施方式的阶段；

图28示出可变电阻存储器件的另一实施方式；

图29和30示出用于制造可变电阻存储器件的方法的另一实施方式的阶段；

图31示出可变电阻存储器件的另一实施方式；以及

图32示出用于制造可变电阻存储器件的方法的另一实施方式的阶段。

具体实施方式

图1和2是示出可变电阻存储器件的一实施方式的截面图。图3示出根据一示例实施方式的可变电阻存储器件的平面图。