[发明专利]粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置

权利要求书

1.一种粘接薄膜，其是用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、且将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件通过加压下的热固化固定于被粘物的粘接薄膜，

其含有热塑性树脂、热固性树脂和无机填充剂，

在所述热塑性树脂、所述热固性树脂和所述无机填充剂的总重量中，所述无机填充剂的含量为30重量％以上且50重量％以下，且所述热塑性树脂的含量为10重量％以上且25重量％以下，

热固化前的在120℃下的粘度为1300Pa·s以上且4500Pa·s以下。

2.根据权利要求1所述的粘接薄膜，其中，热固化前的在150℃下的粘度为500Pa·s以上且2500Pa·s以下。

3.根据权利要求1或2所述的粘接薄膜，其中，所述热固性树脂的软化点为80℃以下。

4.一种切割/芯片接合薄膜，其具备：

具有基材和形成于该基材上的粘合剂层的切割薄膜；和

层叠于所述粘合剂层上的权利要求1～3中的任一项所述的粘接薄膜。

5.一种半导体装置的制造方法，其包含如下工序：

被粘物准备工序，其准备固定有第1半导体元件的被粘物；

贴合工序，其将权利要求4所述的切割/芯片接合薄膜的粘接薄膜与半导体晶圆贴合；

切割工序，其将所述半导体晶圆与所述粘接薄膜一起切割而形成第2半导体元件；

拾取工序，其将所述第2半导体元件与所述粘接薄膜一起拾取；

固定工序，其利用与所述第2半导体元件一起拾取的粘接薄膜将固定于所述被粘物的所述第1半导体元件包埋、并且将所述第2半导体元件固定于该被粘物；以及

加压固化工序，其在所述固定工序后在加压下对所述粘接薄膜进行加热而使其热固化。