[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括半导体基板。垫区域(pad region)设置于半导体基板上。微凸块设置于垫区域上。微凸块(micro bump)具有在垫区域上的第一部分及在第一部分上的第二部分。第一部分与第二部分具有不同宽度。第一部分具有第一宽度并且第二部分具有第二宽度。第一宽度大于或小于第二宽度。微凸块包括镍及金。半导体装置亦包括覆盖垫区域的一部分的钝化层。

技术领域

本发明实施例是关于半导体元件，更具体关于具有凸块的半导体元件。

背景技术

现代集成电路是由数以百万计主动及/或被动装置(诸如晶体管及电容器)构成。这些装置最初彼此隔离，但随后互连在一起以形成功能电路(functional circuits)。一般互连结构包括横向互连(诸如金属线(接线))及垂直互连(诸如通孔及接触)。互连越来越决定现代集成电路的效能及密度的限制。在互连结构的顶部，凸块形成并且暴露在对应晶片的表面上。电性连接经由凸块构成，以连接晶片与另一元件。

发明内容

根据本揭露的一态样，半导体装置包含半导体基板、导电垫、导电凸块、导电帽以及至少一个钝化层。导电垫位于半导体基板上方。导电凸块位于导电垫上方。导电帽位于导电凸块上方，其中导电凸块与导电帽的组合具有阶梯侧壁轮廓。钝化层位于导电基板上方，并且围绕导电凸块。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭露的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1是绘示根据本揭示的一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图；

图2至图8是根据本揭示的一些实施例的于凸块形成制程中的各个阶段的半导体装置的一部分的横截面图；

图9及图10是根据本揭示的一些实施例的于凸块形成制程的中间阶段的半导体装置的一部分的横截面图；

图11至图20是根据本揭示的一些实施例的于凸块形成制程的中间阶段的半导体装置的一部分的横截面图；

图21至图27是根据本揭示的一些实施例的于凸块形成制程的中间阶段的半导体装置的一部分的横截面图；

图28至图34是根据本揭示的一些实施例的于凸块形成制程的中间阶段的半导体装置的一部分的横截面图；

图35是绘示根据本揭示的一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图；

图36至图43是根据本揭示的一些实施例的于凸块形成制程的各个阶段的半导体装置的一部分的横截面图；以及

图44是根据本揭示的一些实施例的于凸块形成制程的各个阶段的半导体装置的一部分的横截面图。

具体实施方式

以下揭示提供了许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述组件及排列的特定实例以简化本揭示。当然，这些实例仅为示例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的并且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。

进一步地，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且因此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。