[发明专利]FFS模式阵列基板的制造方法

说明书

本发明实施例公开了一种FFS模式阵列基板的制造方法，所述方法包括：提供基板；在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层,通过第一光罩图案化所述透明半导体层和第一金属层形成共通电极和栅极；从下到上依序沉积栅极绝缘层、氧化物半导体层和第二金属层；通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层和第二金属层形成有源层、像素电极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别位于有源层的两侧上，所述漏极与所述像素电极电连接；沉积钝化层，且通过第三光罩图案化所述钝化层形成过孔。采用本发明，具有简化制程、降低成本的优点。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种FFS模式阵列基板的制造方法。

背景技术

现有的FFS模式液晶显示装置，因为具有高亮度，广视角，以及较低的色偏等优点，而成为行业研究的热点。FFS模式液晶显示装置包括FFS模式阵列基板，一般说来，所述FFS模式阵列基板普遍需要5道以上的光罩，制备工艺复杂，成本也相对较高。

在上述的FFS模式阵列基板中，其内的薄膜晶体管为BCE结构或者Top-gate结构，随着技术的进步，最近产品上出现了垂直结构的薄膜晶体管，包含该种垂直结构的薄膜晶体管的FFS模式阵列基板请参见图1，该种FFS模式阵列基板包括基板110、源极121、共通电极122、平坦层130、第一绝缘层140、像素电极150、有源层160、栅极绝缘层170和栅极180等膜层，虽然该种垂直结构的薄膜晶体管可以做的很小，可以提高FFS模式液晶显示装置开口率。然而，由于垂直结构薄膜晶体管本身复杂，此种结构进一步使FFS阵列基板结构复杂化，所需要的光罩数目更多，成本更高。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种FFS模式阵列基板及其制造方法。可简化制程，降低成本。

为了解决上述技术问题，本发明第一方面实施例提供了一种FFS模式阵列基板的制造方法，所述FFS模式阵列基板包括垂直结构薄膜晶体管，所述制造方法包括：

提供基板；

在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层，所述第一金属层位于透明半导体层上；

通过第一光罩图案化所述透明半导体层和第一金属层形成共通电极和栅极；

从下到上依序沉积栅极绝缘层、氧化物半导体层和第二金属层；

通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层和第二金属层形成有源层、像素电极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别位于有源层的两侧上，所述漏极与所述像素电极电连接；

沉积钝化层，且通过第三光罩图案化所述钝化层形成过孔。

在本发明第一方面一实施例中，在所述在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层，所述第一金属层位于透明半导体层上的步骤之后还包括：通过所述第一光罩图案化所述第一金属层和透明半导体层还形成共通走线和扫描线，所述共通走线与所述共通电极电连接，所述扫描线与所述栅极电连接。

在本发明第一方面一实施例中，所述有源层为“Z”型。

在本发明第一方面一实施例中，所述像素电极由氧化物半导体层图案化后掺杂氢离子形成。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一光罩和所述第二光罩为半色调光罩。

本发明第二方面实施例提供了一种FFS模式阵列基板，包括：

基板；

共通电极，其位于所述基板上，其由透明半导体层构成；

栅极，其位于所述基板上，其由透明半导体层和第一金属层构成；

栅极绝缘层，其位于所述栅极、共通电极和基板上；

有源层，其位于所述栅极绝缘层上，且由氧化物半导体层构成；