[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜装置。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有粘着性的粘着面，另一面具备不具有粘着性的非粘着面；及密接片，一面具备密接于非粘着面的具有粘着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有粘着性的第2密接面，粘着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少跨及与贴附区域对应的非粘着面的区域的整体而密接。

技术领域

本发明是涉及一种成膜装置。

背景技术

以移动电话为代表的无线通信设备中，搭载有许多作为电子零件的半导体装置。为了防止对通信特性的影响，半导体装置谋求抑制电磁波向外部的泄露等电磁波对内外的影响。因此，一直使用具有对电磁波的屏蔽功能的半导体装置。

一般而言，半导体基板是通过在作为用于对安装基板进行中转的基板的中介层(interposer)基板上搭载半导体芯片，并利用树脂将所述半导体芯片密封而形成。开发有一种通过在所述密封树脂的上表面及侧面设置导电性的电磁波屏蔽膜而赋予屏蔽功能的半导体装置(参照专利文献1)。

此种电磁波屏蔽膜可设为多种金属材料的层叠膜。例如，已知有在形成有不锈钢(SUS)膜的基础上形成Cu膜，进而在其上形成SUS膜的层叠结构的电磁波屏蔽膜。

关于电磁波屏蔽膜，为了获得充分的屏蔽效果，需要降低电阻率。因此，对电磁波屏蔽膜要求某种程度的厚度。关于半导体装置，一般而言，若为1μm～10μm左右的膜厚，则可获得良好的屏蔽特性。就所述SUS、Cu、SUS的层叠结构的电磁波屏蔽膜而言，已知若为1μm～5μm左右的膜厚，则可获得良好的屏蔽效果。

现有技术文献

专利文献

专利文献1国际公开第2013/035819号公报

发明内容

发明所要解决的问题

作为电磁波屏蔽膜的形成方法，已知有镀敷法。但是，镀敷法需要前处理步骤、镀敷处理步骤、及水洗之类的后处理步骤等湿式步骤，因此不可避免半导体装置的制造成本的上升。

因此，作为干式步骤的溅射法受到瞩目。作为利用溅射法的成膜装置，提出有使用等离子体进行成膜的等离子体处理装置。等离子体处理装置将惰性气体导入配置有靶材的真空容器，施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子与成膜材料的靶材碰撞，并使自靶材赶出的材料堆积于工件来进行成膜。

一般的等离子体处理装置被用于可在几十秒至几分钟的处理时间内形成的厚度为10nm～数100nm的膜的形成中。但是，如上所述，作为电磁波屏蔽膜，需要形成微米级厚度的膜。由于溅射法是使成膜材料的粒子堆积于成膜对象物上来形成膜的技术，因此所形成的膜越厚，膜的形成所需的时间越长。

因此，为了形成电磁波屏蔽膜，需要比一般的溅射法更长的几十分钟至一小时左右的处理时间。例如，就SUS、Cu、SUS的层叠结构的电磁波屏蔽膜而言，为了获得5μm的膜厚，有时需要一小时多的处理时间。

如此，使用等离子体的溅射法中，在所述处理时间内，作为半导体装置的外包装的封装体会一直暴露于等离子体的热中。结果，至获得厚度5μm的膜为止，有时会将封装体加热至200℃上下。

另一方面，关于封装体的耐热温度，若为几秒～几十秒左右的暂时加热，则为200℃左右，但在加热超过几分钟的情况下，一般为150℃左右。因此，难以使用一般的利用等离子体的溅射法来形成微米级的电磁波屏蔽膜。

为了应对所述情况，考虑在等离子体处理装置上设置用来抑制半导体封装体的温度上升的冷却装置。所述情况下，装置构成复杂化、大型化。