[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括沟槽结构部件以及由所述沟槽结构部件分隔开的有源区，

其中，所述沟槽结构部件具有沟槽以及位于所述沟槽中的第一区域和第二区域，所述第二区域至少包围所述第一区域的底面和侧面，

所述第一区域由导电材料形成，所述第二区域由绝缘材料形成，并且

所述有源区具有由所述导电材料制成的栅极结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二区域包围所述第一区域的整体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一区域由多晶硅材料形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述沟槽结构部件还包括形成在所述第一区域上的接触件。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一区域被设定成接地。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述有源区设置有晶体管。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述沟槽通过浅沟槽隔离方法形成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置为图像传感器、存储器或逻辑电路中的一个或多个。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括沟槽以及由所述沟槽分隔开的有源区；

填充所述沟槽，形成第一绝缘层；

在所述衬底上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述有源区和所述第一绝缘层；

形成穿过所述氧化层和所述第一绝缘层的一部分的开口；

在所述氧化层上形成导电层，所述导电层覆盖所述氧化层并填充所述开口；

对所述导电层在所述开口中的部分进行蚀刻以在所述开口中的第一绝缘层上形成第一区域；以及

对所述导电层的在所述氧化层上的部分进行蚀刻以形成栅极结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

填充所述开口，以形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层覆盖所述第一区域，并与所述第一绝缘层形成包围所述第一区域的第二区域。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：

所述第一区域由多晶硅材料形成。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一区域上形成接触件。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：

所述第一区域被设定成接地。