[发明专利]一种MWT太阳能电池的快速检测方法有效
申请号: | 201711282004.3 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108010862B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 孙明亮;逯好峰;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mwt 太阳能电池 快速 检测 方法 | ||
本发明公开了一种MWT太阳能电池的快速检测方法,包括:步骤1,外观检查;检查MWT太阳能电池的负极点小孔是否透光;步骤2,负极点之间的电阻值检查;测量任意两个负极点的电阻值;步骤3,正极点之间的电阻值检查;测量任意两个正极点的电阻值。本发明对环境和工具要求低,操作方法简便易学,可以方便、快捷地发现MWT太阳能电池的正银与堵塞浆料之间、背银与铝背场之间的接触不良,有利于将在生产过程中出现的带有上述缺陷的MWT太阳能电池筛选出来。
技术领域
本发明涉及一种MWT太阳能电池的快速检测方法,具体是通过检验MWT太阳能电池不同电极点之间的电阻值,从而快速判定此太阳能电池是否存在缺陷,本发明属于光伏行业MWT太阳能电池加工技术领域。
背景技术
MWT光伏组件由玻璃、封装材料(如:EVA胶膜)、MWT太阳能电池、导电胶、GPS、集成导电背板在一定温度、时间和压力下,通过封装材料(EVA胶膜)的固化粘合而成。
由于MWT太阳能电池是MWT光伏组件的核心原材料,其本身在制作过程中会产生各种各样的不良,如果不能及时筛选出不良的MWT太阳能电池,则会造成MWT光伏组件也出现各类不良。
对于MWT太阳能电池,最常见的不良有如下两种:
a)MWT太阳能电池的正银与堵塞浆料之间接触不良,导致电池负极点电阻值偏高。如果此类不良的MWT太阳能电池不能筛选出,就会导致MWT光伏组件在EL检测时出现如图1中圆圈所示的不良。
b)MWT太阳能电池的背银与铝背场之间接触不良,导致电池正极点电阻值偏高。如果此类不良的MWT太阳能电池不能筛选出,就会导致MWT光伏组件在EL检测时出现如图2中圆圈所示的不良。
所以,可以快速地筛选出上述接触不良的检测方法,对提高MWT太阳能电池的质量,减少对后续的MWT组件生产的不利影响,就具有十分重要的意义。
本发明正是一种可以快速检测MWT太阳能电池的正银与堵塞浆料之间、背银与铝背场之间的接触不良的方法。
发明内容
发明目的:针对MWT太阳能电池在生产过程中容易出现的正银与堵塞浆料之间、背银与铝背场之间的接触不良的问题,本发明提供一种MWT太阳能电池的快速检验方法。其目的在于可以方便、快捷地发现MWT太阳能电池的正银与堵塞浆料之间、背银与铝背场之间的接触不良,有利于将在生产过程中出现的带有上述缺陷的MWT太阳能电池筛选出来,避免将带有上述缺陷的MWT太阳能电池流到下一道工序,从而提高MWT太阳能电池的质量,减少对后续的MWT组件生产的不利影响。
技术方案:一种MWT太阳能电池的快速检测方法,包括以下步骤:
1.外观检查
检查MWT太阳能电池的负极点小孔是否透光;若存在透光小孔现象,则表明负极点小孔处堵塞浆料填充不充分,此MWT太阳能电池可能存在接触不良的问题,并进行下一项检测;
2.负极点之间的电阻值检查
在MWT太阳能电池的背面任选两个负极点,用测量仪器(如:万用表,等)测量两个负极点之间的电阻值,如果电阻值大于预设值,则表明其中有一个负极点存在接触不良的问题;
3.正极点之间的电阻值检查
在MWT太阳能电池的背面任选两个正极点,用测量仪器(如:万用表,等)测量两个正极点之间的电阻值,如果电阻值大于预设值,则表明其中有一个正极点与铝背场之间存在接触不良的问题。
有益效果:本发明所提供的MWT太阳能电池的快速检测方法,对环境和工具要求低,操作方法简便易学,可以方便、快捷地发现MWT太阳能电池的正银与堵塞浆料之间、背银与铝背场之间的接触不良,有利于将在生产过程中出现的带有上述缺陷的MWT太阳能电池筛选出来。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造