[发明专利]具有天线组件的扇出型半导体封装结构及其制备方法在审
申请号: | 201711282005.8 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN107910312A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;吴政达;林章申;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/31;H01Q1/38;H01Q19/10 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 天线 组件 扇出型 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述具有天线组件的扇出型半导体封装结构包括:
半导体芯片;
塑封材料层,包括相对的第一表面及第二表面,所述塑封材料层塑封于所述半导体芯片的外围,且暴露出所述半导体芯片的正面;
填充结构,位于所述塑封材料层内,且位于所述半导体芯片外围;所述填充结构对天线信号造成的损耗小于所述塑封材料层对天线信号造成的损耗;
天线组件,位于所述塑封材料层的第一表面,且所述天线组件在所述填充结构上的正投影完全位于所述填充结构上;
重新布线层,位于所述塑封材料层的第二表面,且与所述半导体芯片电连接;
焊料凸块,位于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面上,且与所述重新布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述半导体芯片包括:
裸芯片;
接触焊盘,位于所述裸芯片上,并与所述裸芯片电连接;其中,所述接触焊盘所在的表面为所述半导体芯片的正面。
3.根据权利要求1所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述填充结构包括:玻璃填充结构、硅填充结构、Roger 5880填充结构、高分子材料填充结构或复合材料填充结构。
4.根据权利要求1所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述填充结构为环形结构,所述填充结构环绕于所述半导体芯片外围,且与所述半导体芯片具有间距。
5.根据权利要求4所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述天线组件包括若干个天线单元,若干个所述天线单元在所述塑封材料层的第一表面沿所述填充结构的周向间隔排布。
6.根据权利要求5所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述天线单元包括块状天线或螺旋状天线。
7.根据权利要求4所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述天线组件包括一沿所述填充结构周向环绕的螺旋状天线。
8.根据权利要求1所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述具有天线组件的扇出型半导体封装结构还包括互连结构,所述互连结构位于所述天线组件与所述重新布线层之间,且与所述天线组件及所述重新布线层电连接。
9.根据权利要求1所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构,其特征在于,所述重新布线层包括:
绝缘层,位于所述塑封材料层的第二表面;
至少一层金属线层,位于所述绝缘层内;
凸块下金属层,位于所述绝缘层远离所述塑封材料层的表面,且与所述金属线层电连接。
10.一种具有天线组件的扇出型半导体封装结构的制备方法,其特征在于,所述具有天线组件的扇出型半导体封装结构的制备方法包括如下步骤:
1)提供一载体,于所述载体的上表面形成剥离层;
2)提供半导体芯片,将所述半导体芯片正面朝下装设于所述剥离层的表面;
3)提供一填充结构,将所述填充结构装设于所述剥离层的表面,所述填充结构位于所述半导体芯片的外围;
4)于所述剥离层的表面形成塑封材料层,所述塑封材料层将所述半导体芯片及所述填充结构塑封;所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面,所述塑封材料层的第二表面与所述剥离层相接触;所述填充结构对天线信号造成的损耗小于所述塑封材料层对天线信号造成的损耗;
5)去除所述载体及所述剥离层;
6)于所述塑封材料层的第二表面形成重新布线层,所述重新布线层与所述半导体芯片电连接;
7)于所述塑封材料层的第一表面形成天线组件,所述天线组件在所述填充结构上的正投影完全位于所述填充结构上;
8)于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面形成焊球凸块,所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。
11.根据权利要求10所述的具有天线组件的扇出型半导体封装结构的制备方法,其特征在于,步骤3)中提供给的所述填充结构包括:玻璃填充结构、硅填充结构、Roger 5880填充结构、高分子材料填充结构或复合材料填充结构。
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