[发明专利]一种硅烷交联型半导电屏蔽材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，所述半导电屏蔽材料由质量比为2~5︰1的A料和B料混合后在水中交联而制成；

其中，以重量份计，所述A料的原料包括：乙烯丙烯酸丁酯共聚物50~100份、双峰聚乙烯5~45份、导电炭黑40~80份、抗氧剂0.1~2份、硅烷1~10份、引发剂0.1~1份、润滑剂1~10份和分散剂1~10份；所述B料的原料包括：双峰聚乙烯80~120份和水解催化剂10~30份；

所述乙烯丙烯酸丁酯共聚物中的丙烯酸丁酯含量为10~30%，所述双峰聚乙烯的熔融指数以ASTM D1238标准在190℃条件下按照测试载荷为2.16Kg时测定为0.1~20g/10min。

2.根据权利要求1所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，所述A料和B料的质量比为3~5︰1。

3.根据权利要求1所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，使所述交联在70~90℃的水中进行。

4.根据权利要求1所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，在制备所述半导电屏蔽材料的过程中，先对所述A料进行干燥处理，再与所述B料混合。

5.根据权利要求1所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，所述A料的原料包括：乙烯丙烯酸丁酯共聚物60~90份、双峰聚乙烯10~40份、导电炭黑50~65份、抗氧剂0.5~1.5份、硅烷3~8份、引发剂0.5~1份、润滑剂3~8份和分散剂1~6份。

6.根据权利要求1所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，所述B料的原料包括：双峰聚乙烯90~110份和水解催化剂10~20份。

7.根据权利要求1-6中任一项权利要求所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，所述硅烷为选自乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷中的一种或多种的组合。

8.根据权利要求1-6中任一项权利要求所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料，其特征在于，所述抗氧剂为选自抗氧剂1010、抗氧剂168、抗氧剂300和防老剂TMQ中的一种或多种的组合；所述引发剂为过氧化二异丙苯；所述润滑剂为选自聚乙烯蜡、EVA蜡和芥酸酰胺中的一种或多种的组合；所述分散剂为选自为酰胺类分散剂TAS-2A、EBS和BYK9076中的一种或多种的组合；所述水解催化剂为选自二月桂酸二丁基锡、二月桂酸二丁辛基锡和辛酸亚锡中的一种或多种的组合。

9.一种权利要求1-8中任一项权利要求所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

（1）、按所述A料的原料配方称取各原料，然后加入挤出机中混合，接枝，挤出造粒，制得接枝型A料；

（2）、按所述B料的原料配方称取各原料，然后加入挤出机中混合，挤出造粒，制得催化剂型B料；

（3）、将所述接枝型A料和所述催化剂型B料按所述质量比混合，挤出成型，然后在水中交联，即得所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料。

10.一种权利要求1-8中任一项权利要求所述的硅烷交联型半导电屏蔽材料在电线、电缆架空绝缘材料中的应用。