[发明专利]数据储存装置与数据储存方法

说明书

一种数据储存装置，包括多个闪存以及至少一者控制器。每一闪存包括多个区块。控制器配置上述闪存在多种工作模式下对数据进行存取。上述闪存的每一个的工作模式是互相独立的。当数据储存装置接收到来自一应用层的一控制指令时，依据控制指令于运行时指定上述工作模式的其中一个应用于上述闪存的其中一个、或者依据控制指令于运行时转换上述闪存的其中一个的工作模式。

技术领域

本发明是关于一种数据储存装置与数据储存方法，特别是关于一种能够切换工作模式的数据储存装置与数据储存方法。

背景技术

闪存为一种普遍的非挥发式数据储存装置，是以电性方式抹除与程序化。以非与门型的闪存(NAND FLASH)为例，常用作记忆卡(memory card)、通用串行总线闪存装置(USBflash device)、固态硬盘(SSD)、嵌入式闪存模块(eMMC)、通用闪存(UFS)…等使用。

然而，数据储存装置可能会依据用户的需求，在不同的工作模式之中进行切换。如何快速并且有效率地切换工作模式，就成为数据储存领域的一项重要课题。因此，需要一种能够快速并且方便切换工作模式的数据储存装置与数据储存方法。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出一种数据储存装置与数据储存方法，能够根据使用者的需求，快速并且方便切换工作模式。

本发明的一实施例提供了一种数据储存装置，包括多个闪存以及至少一控制器。每一闪存包括多个区块。控制器配置该等闪存在多种工作模式下对数据进行存取。上述闪存的每一者的工作模式是互相独立的。当数据储存装置接收到来自一应用层的一控制指令时，依据控制指令于运行时指定该等工作模式的其中一者应用于上述闪存的其中一者、或者依据控制指令于运行时转换上述闪存的其中一者的工作模式。

详细而言，上述工作模式是包括只读(Read Only)模式、唯写(Write Only)模式、垃圾收集(Garbage Collection)关闭模式、以及平均抹除(Wear-Leveling)关闭模式、垃圾收集演算法切换模式、垃圾收集参数调整模式或超额配置参数调整模式。在一实施例中，控制器储存至少一映射表，以记录多个逻辑地址与该等闪存之间的映射信息。当该只读模式应用于该闪存时，该控制器不更动与该闪存相关的该映射表；以及当该唯写模式应用于该闪存时，该控制器更动与该闪存相关的该映射表。垃圾收集模式是用以合并该等区块中的多个无效率区块，以得到至少一空闲区块。平均抹除模式是用以计算该等区块的程序化/抹除次数，并且将该数据写入程序化/抹除次数较少的该区块。在另一实施例中，数据储存装置，更包括一主机驱动器(Host Driver)，配置于该控制器以及该应用层之间，用以依据该控制指令于运行时指定该等工作模式的其中一者应用于该等闪存的其中一者、或者依据该控制指令于运行时转换该等闪存的其中一者的工作模式。再者，映射表是储存于该主机驱动器。

本发明的另一实施例提供了一种数据储存方法，适用于一数据储存装置。数据储存装置是包括多个闪存以及至少一控制器，每一闪存包括多个区块。数据储存方法包括：配置该等闪存在多种工作模式下对数据进行存取，其中该等闪存的每一者的工作模式是互相独立的；判断该数据储存装置是否接收到来自一应用层的一控制指令；以及当接收到该控制指令时，依据该控制指令于运行时指定该等工作模式的其中一者应用于该等闪存的其中一者、或者依据该控制指令于运行时转换该等闪存的其中一者的工作模式。

关于本发明其他附加的特征与优点，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可根据本案实施方法中所揭露的数据储存装置与数据储存方法。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式做完整揭露。应注意的是，根据本产业的一般作业，图标并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1是显示根据本发明一实施例所述的数据储存装置与应用层的示意图；