[发明专利]反激电路及反激电源

权利要求书

1.一种反激电路，其特征在于，包括：

电压转换模块，用于将市交流电压转换为直流电压；

变压器，包括第一初级线圈、第一次级线圈和初级辅助线圈，所述第一初级线圈连接到所述电压转换模块，所述第一次级线圈用于在所述第一初级线圈断开时产生负载工作电压，所述初级辅助线圈用于产生芯片供电电压；

输出模块，连接到所述第一次级线圈，所述输出模块用于输出所述负载工作电压；

控制芯片，连接到所述第一初级线圈，所述控制芯片用于控制所述第一初级线圈的通断；

保护模块，连接到所述初级辅助线圈和所述控制芯片的模拟电压端之间，所述保护模块用于在所述控制芯片的模拟电压端出现短路或者过流时控制所述控制芯片停止工作；

其中，所述保护模块包括：电压输出单元、第一电阻器、侦测单元和控制单元；

所述第一电阻器连接到所述电压输出单元和所述控制芯片的模拟电压端之间，所述电压输出单元用于通过所述第一电阻器向所述控制芯片的模拟电压端提供所述芯片供电电压；

所述侦测单元连接到所述第一电阻器的两端，所述侦测单元用于在所述控制芯片的模拟电压端出现短路或者过流时侦测到所述第一电阻器的两端的电压大于预定电压，并产生侦测信号；

所述控制单元分别连接到所述电压输出单元和所述侦测单元，所述控制单元用于接收所述侦测信号，且根据所述侦测信号输出停止信号给所述电压输出单元，以使所述电压输出信号根据所述停止信号停止工作，从而所述控制芯片停止工作；

其中，所述电压输出单元包括：第一二极管、第二电阻器、第一MOS晶体管、第三电阻器；

所述第一二极管的阳极连接到所述初级辅助线圈的一端，所述第一二极管的阴极连接到所述第二电阻器的一端，所述第二电阻器的另一端连接到所述第一MOS晶体管的漏极，所述第一MOS晶体管的源极连接到所述第一电阻器的一端，所述第一MOS晶体管的栅极连接到所述第三电阻器的一端并连接到所述控制单元，所述第三电阻器的另一端连接到所述第一MOS晶体管的漏极，所述初级辅助线圈的另一端连接到接地端。

2.根据权利要求1所述的反激电路，其特征在于，所述侦测单元包括：第一三极管和第十二电阻器；

所述第十二电阻器的一端连接到所述第一电阻器的另一端和所述控制芯片的模拟电压端之间，所述第十二电阻器的另一端连接到第一三极管的基极，所述第一三极管的发射极连接到所述第一电阻器的一端和所述第一MOS晶体管的源极之间，所述第一三极管的集电极连接到所述控制单元。

3.根据权利要求1所述的反激电路，其特征在于，所述控制单元包括：第二三极管、第四电阻器、第五电阻器；

所述第四电阻器的一端连接到所述侦测单元，所述第四电阻器的另一端连接到所述第二三极管的基极，所述第五电阻器的一端连接到所述第二三极管的基极，所述第五电阻器的另一端连接到接地端，所述第二三极管的发射极连接到接地端，所述第二三极管的集电极连接到所述电压输出单元。

4.根据权利要求1所述的反激电路，其特征在于，所述控制芯片包括：脉冲宽度调制芯片、第二MOS晶体管和第六电阻器；

所述第二MOS晶体管的栅极连接到所述脉冲宽度调制芯片的第一端，所述第二MOS晶体管的源极连接到所述脉冲宽度调制芯片的第二端，所述第二MOS晶体管的漏极连接到所述第一初级线圈的一端，所述第六电阻器的一端连接到所述第二MOS晶体管的源极，所述第六电阻器的另一端连接到接地端；

当所述脉冲宽度调制芯片控制导通所述第二MOS晶体管时，所述脉冲宽度调制芯片控制所述第一初级线圈接通；当所述脉冲宽度调制芯片控制截止所述第二MOS晶体管时，所述脉冲宽度调制芯片控制所述第一初级线圈断开。

5.根据权利要求1所述的反激电路，其特征在于，所述反激电路还包括：电压尖峰吸收模块，分别连接到所述第一初级线圈和所述控制芯片，所述电压尖峰吸收模块用于在所述第一初级线圈断开时吸收所述第一初级线圈的电压尖峰。