[发明专利]使用有机发光二极管的照明设备有效
申请号: | 201711285270.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108172598B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 李臣馥;宋泰俊;金南国 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 有机 发光二极管 照明设备 | ||
根据本公开的一种使用有机发光二极管的照明设备,该照明设备被配置为使得通过在阴极上形成抗刮擦层以完全覆盖阴极而使基板平整。具有这种配置的本公开即使在为了脉冲老化而卷绕或展开基板时也能够利用抗刮擦层来均匀地保持按压压力,从而防止由于刮擦或颗粒而导致的损坏。
技术领域
本公开涉及显示装置,更具体地,涉及一种照明设备,且更具体地,涉及一种使用有机发光二极管的照明设备。
背景技术
当前,荧光灯或白炽灯主要用作照明设备。在这些照明设备中,白炽灯具有良好的显色指数(CRI),但是具有较低的能量效率。荧光灯效率高,但是显色指数差。此外,荧光灯含有汞,从而引发环境问题。
CRI是表示显色性的指数。CRI是指示在将物体被特定光源照射的情况与物体被参考光源照射的情况进行比较时,色调相对于由光源照射的物体的颜色的相似程度的指数。太阳光的CRI是100。
为了解决常规照明设备的问题,近来,已提出将发光二极管(LED)作为照明设备。LED由无机发光材料制成。LED在蓝色波长带中呈现出最高的发光效率,并且具有朝向红色波长带和绿色波长带逐渐降低的发光效率。因此,当通过将红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管进行组合来发射白光时,发光效率明显降低。
作为替代,目前开发出使用有机发光二极管(OLED)的照明设备。使用有机发光二极管的普通照明设备以如下方式被制造:在玻璃基板上形成由ITO制成的阳极,在阳极上形成有机发光层和阴极,以及将钝化层和层压膜附接于其上。
其中,沉积有机发光层和电极的工序在高真空环境下执行,因此需要与要沉积的薄膜的数目一样多的用于保持高真空的沉积腔室。
此外,必须执行脉冲老化(以下称为p老化)以防止设置有有机发光层和电极的有机发光二极管的缺陷。这是通过向有机发光二极管施加老化电压以使电极氧化来防止这种缺陷。这种p老化在大气压(即,空气环境)下进行以使电极氧化。此时,执行基板的卷绕和展开以将基板移动到p老化腔室。在该工艺期间,可能对有机发光二极管的暴露表面造成损坏,例如,被刮擦等。这是因为具有小厚度的阴极不足以保护有机发光层,并且当基板与导向辊接触时或当基板被卷绕时,在基板上形成划痕的风险很高。例如,如果在卷绕基板或者通过沿垂直方向施加压力来附接金属膜时在金属膜下方存在颗粒,则会由于所施加的压力而导致对与颗粒接触的有机发光二极管造成损坏。
发明内容
因此,为了消除这些问题和其它缺点,详细描述的一个方面在于提供一种使用有机发光二极管的照明设备,其能够防止在脉冲老化(p老化)之后由于刮擦(scratch)和颗粒造成的损坏。
将在本公开的以下配置和权利要求中描述本公开的其它方面和特征。
为了实现这些和其它优点并根据本说明书的目的,如本文实施并广泛描述地,提供了一种使用有机发光二极管的照明设备,该照明设备包括:基板,该基板被划分成发光部以及第一接触部和第二接触部;有机发光层和第二电极,该有机发光层和该第二电极位于其上具有第一钝化层的所述基板的所述发光部上;以及第二钝化层,该第二钝化层被构造为覆盖所述有机发光层和所述第二电极并且使所述基板的表面平整。
在本文所公开的一个方面中,提供了一种使用有机发光二极管的照明设备,该照明设备包括:基板,该基板具有发光部以及第一接触部和第二接触部;辅助电极,该辅助电极位于所述基板上的所述发光部处并且用作附加接触电极;第一电极,该第一电极位于包括所述辅助电极的所述基板上;钝化层,该钝化层位于包括所述第一电极的所述基板上;有机发光层、第二电极和抗刮擦层,该有机发光层、该第二电极和该抗刮擦层位于包括所述钝化层的所述基板的整个表面上;以及封装层,该封装层围绕所述抗刮擦层并且被设置在所述钝化层上。
在本文所公开的一个方面中,该照明设备还可包括:第一电极,该第一电极位于所述基板上;第一钝化层,该第一钝化层位于所述第一电极上;以及金属膜,该金属膜位于所述基板的所述发光部上以覆盖所述第二钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的