[发明专利]芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法

权利要求书

1.一种芯材料，其在芯表面具有电镀软钎料而成的包含Sn和Bi的Sn-Bi系软钎料合金的电镀软钎料镀覆层，其特征在于，

所述芯由Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mg的金属单质或它们的两种以上的合金、金属氧化物、或者金属混合氧化物形成，

如下表示所述软钎料镀覆层中所含的Bi的浓度比时，所述浓度比处于91.4～106.7％的范围内，

浓度比(％)＝Bi的测量值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)

或者，

浓度比(％)＝Bi的测量值的平均值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)。

2.一种芯材料，其在芯表面具有电镀软钎料而成的包含Sn和58质量％Bi的Sn-58Bi系软钎料合金的电镀软钎料镀覆层，其特征在于，

所述芯由Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mg的金属单质或它们的两种以上的合金、金属氧化物、或者金属混合氧化物形成，

如下表示所述软钎料镀覆层中所含的Bi的浓度比时，所述浓度比处于91.4～108.6％的范围内，

浓度比(％)＝Bi的测量值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)

或者，

浓度比(％)＝Bi的测量值的平均值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)。

3.一种芯材料，其在芯表面具有电镀软钎料而成的包含Sn和40质量％Bi的Sn-40Bi系软钎料合金的电镀软钎料镀覆层，其特征在于，

所述芯由Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mg的金属单质或它们的两种以上的合金、金属氧化物、或者金属混合氧化物形成，

如下表示所述软钎料镀覆层中所含的Bi的浓度比时，所述浓度比处于90～107.5％的范围内，

浓度比(％)＝Bi的测量值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)

或者，

浓度比(％)＝Bi的测量值的平均值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)。

4.一种芯材料，其在芯表面具有电镀软钎料而成的包含Sn和3质量％Bi的Sn-3Bi系软钎料合金的电镀软钎料镀覆层，其特征在于，

所述芯由Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mg的金属单质或它们的两种以上的合金、金属氧化物、或者金属混合氧化物形成，

如下表示所述软钎料镀覆层中所含的Bi的浓度比时，所述浓度比处于90～106.7％的范围内，

浓度比(％)＝Bi的测量值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)

或者，

浓度比(％)＝Bi的测量值的平均值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的芯材料，其特征在于，所述芯材料从所述芯表面起依次具有选自Ni和Co中的1种以上元素的基底镀覆层和所述电镀软钎料镀覆层。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的芯材料，其特征在于，使用了Cu球作为芯。

7.根据权利要求5所述的芯材料，其特征在于，使用了Cu球作为芯。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的芯材料，其特征在于，使用了Cu柱作为芯。

9.根据权利要求5所述的芯材料，其特征在于，使用了Cu柱作为芯。

10.一种半导体封装体，其特征在于，使用了权利要求1～9中任一项所述的芯材料作为软钎料凸块。

11.一种凸块电极的形成方法，其特征在于，包括：

将芯材料搭载在电极上的工序；和

对所搭载的所述芯材料进行加热，从而形成凸块电极的工序，

所述芯材料在芯表面具有电镀软钎料而成的包含Sn和Bi的Sn-Bi系软钎料合金的电镀软钎料镀覆层，

所述芯由Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mg的金属单质或它们的两种以上的合金、金属氧化物、或者金属混合氧化物形成，

如下表示所述软钎料镀覆层中所含的Bi的浓度比时，所述浓度比处于91.4～106.7％的范围内，

浓度比(％)＝Bi的测量值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)

或者，

浓度比(％)＝Bi的测量值的平均值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)。