[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底、位于所述基底上的栅极、以及位于所述栅极两侧的基底内的源漏掺杂区，所述基底上还具有覆盖所述栅极顶部和侧壁的介质层，所述源漏掺杂区表面具有贯穿所述介质层厚度的导电层；

去除部分厚度的所述介质层，露出所述导电层的顶部和部分侧壁，且剩余介质层顶部高于所述栅极顶部；

在所述介质层顶部、所述导电层顶部及侧壁上形成侧墙层；

回刻蚀去除位于相邻所述导电层之间的部分介质层顶部上的侧墙层，在相邻导电层相对的侧壁上形成侧墙；

以所述侧墙为掩膜，刻蚀位于相邻导电层之间的介质层直至露出所述栅极顶部，在所述介质层内形成通孔；

形成填充满所述通孔的金属层，且所述金属层位于相邻导电层之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层厚度为1nm~20nm。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔的步骤中，刻蚀所述介质层的工艺对所述侧墙和所述介质层的刻蚀选择比小于0.8。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的工艺步骤包括：形成覆盖部分所述侧墙层表面的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，去除位于相邻所述导电层之间的部分介质层顶部上的侧墙层，在相邻导电层侧壁上形成侧墙；去除所述光刻胶层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光刻胶层暴露出位于相邻导电层之间的侧墙层，且还暴露出导电层部分顶部的侧墙层；其中，回刻蚀所述暴露出的侧墙层，形成所述侧墙。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层覆盖所述侧墙侧壁，且所述金属层顶部与所述侧墙顶部齐平。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔后，所述侧墙覆盖所述介质层露出的所述导电层的整个侧壁；

形成所述金属层的工艺步骤包括：形成填充满所述通孔的金属膜，且所述金属膜覆盖所述导电层顶部及所述侧墙顶部；去除部分厚度的所述金属膜，使剩余所述金属膜顶部与所述导电层顶部齐平，形成所述金属层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述金属膜前，所述形成方法还包括：在所述通孔底部及侧壁、所述侧墙顶部及侧壁形成金属粘合层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：去除高于所述金属层顶部的侧墙层以及金属粘合层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔后，所述侧墙顶部低于所述导电层顶部；

形成所述金属层的工艺步骤包括：形成填充满所述通孔的金属膜，且所述金属膜覆盖所述导电层顶部、所述侧墙顶部及高出侧墙顶部的所述导电层侧壁；去除部分厚度所述金属膜及部分厚度所述导电层，使剩余所述金属膜顶部、所述导电层顶部及所述侧墙顶部齐平，形成所述金属层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述金属膜。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述金属膜前，所述形成方法还包括：在所述通孔底部和侧壁、以及所述侧墙顶部和侧壁上形成金属粘合层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：去除高于所述金属层顶部的侧墙层以及金属粘合层。