[发明专利]一种用于PECVD设备的进气混合装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种用于PECVD设备的进气混合装置。

背景技术

随着光伏行业的发展，行业内对设备的要求也越来越高，其中主要生产设备包括有PECVD（等离子体增强化学的等离子气相沉积法）设备。该设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。在用于光伏电池基片的生产中，电池基片的表面需要在PECVD设备的反应室内沉积一层薄膜，该薄膜膜厚的均匀性为电池基片主要的性能参数，图1为现有的PECVD设备中工艺气体进入反应室前的工艺气体输送装置，该装置包括第一进气引管3和第二进气引管4，把两种工艺气体直接汇聚后通过出气口5送至反应室内，这种混合方式容易造成工艺气体混合不够充分，导致镀膜工艺出现偏差，影响薄膜膜厚的均匀性。

发明内容

本发明为了解决上述现有技术中存在的技术问题，提出一种用于PECVD设备的进气混合装置。

本发明采用的技术方案是：

一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管、第二进气引管和出气口，还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒，所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。

在一实施例中，所述混气盒包括一座体，其相对的侧边设有多个向内伸出、相互错开且与对面侧边隔开的挡板，和一与所述座体密封连接形成混气通道的盖板；所述第一进气引管和第二进气引管设置在所述混气盒的一端，所述出气口设置在所述混气盒的另一端。

在另一实施例中，所述混气盒包括第一混气盒和第二混气盒，第一混气盒和第二混气盒的座体相互层叠固定在一起，所述第一混气盒的混气通道出口与所述第二混气盒的混气通道进口连通，第一进气引管、第二进气引管与出气口设置在同一端。

所述出气口为并排设置的多个出气孔。

所述第一混气盒上设有可安装螺钉与PECVD反应室内壁固定的通孔。

与现有技术比较，本发明的优点在于：

本发明通过增加迷宫式的混气通道，保证工艺气体在送至PECVD设备的反应室之前就能充分混合，使工艺气体达到最佳的反应状态。并且采用了两个混气盒平行贴靠的设计，使混气通道为上下两层首尾连通，在较小的占用范围内使混气通道有效延长，进一步改善了工艺气体的混合程度。

附图说明

图1为现有技术中的工艺气体输送装置；

图2为本发明的外观图；

图3为本发明第二混气盒隐藏第二盖板的结构示意图；

图4为本发明第一混气盒隐藏第一盖板的结构示意图；

图5为本发明与PECVD设备的反应室配合的局部截面图。

具体实施方式

下面结合附图以及实施例对本发明的原理及结构进行详细说明。

如图2、图3、图4所示，本发明提出了一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管3、第二进气引管4、出气口5和混气盒，混气盒的内部设有迷宫式的混气通道，第一进气引管3和第二进气引管4固定在混气盒上，并与混气盒内部的混气通道的一端连通，出气口5设置在混气盒上并连通混气通道的另一端。工艺气体可经过迷宫式的混气通道进行充分混合，从而达到最佳的反应状态，再由出气口5排出进入PECVD设备的反应室进行等离子气相沉积。其中，出气口5为并排设置的6个出气孔。

本发明一实施例中，混气盒包括：座体和盖板，座体为一面开口的盒体，盒体内相对的两个侧边上互相向内伸出多个相互错开的挡板，并且挡板伸出后不与侧边接触，再通过盖板与座体开口的一侧密封连接，使混气盒内形成多个形状不规则的腔室，相邻的腔室之间首尾相连形成曲折的迷宫，从而形成可供工艺气体通过的迷宫式的混气通道。且第一进气引管3和第二进气引管4设置在混气盒的一端与内部的混气通道连通，所述出气口5设置在所述混气盒的另一端也与混气通道连通，使工艺气体可经过迷宫式的混气通道进行充分混合。