[发明专利]一种原生电磁场SiC-ZnO复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711287516.9 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107879744B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 顾华志;杨爽;黄奥;张美杰 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原生 电磁场 sic zno 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种原生电磁场SiC-ZnO复合材料的制备方法，其特征在于以40～60wt％的碳化硅颗粒、0～10wt％碳化硅细粉和30～60wt％的热电氧化物粉体为原料，外加所述原料5～10wt％的粘结剂，混练，机压成型，干燥，即得干燥后的坯体；然后将干燥后的坯体置于高温炉中，以25～35℃/h的速率升温至1200～1600℃，保温8～10h，制得原生电磁场SiC-ZnO复合材料；
所述热电氧化物粉体为氧化锌和或为掺杂氧化锌；所述掺杂氧化锌的掺杂元素为Al、Ga、Ni和In中的一种；所述热电氧化物粉体的纯度≥99wt％，粒径≤5μm。
2.根据权利要求1所述的原生电磁场SiC-ZnO复合材料的制备方法，其特征在于所述的碳化硅颗粒的纯度≥99wt％，碳化硅颗粒的粒径为0.088～1mm。
3.根据权利要求1所述的原生电磁场SiC-ZnO复合材料的制备方法，其特征在于所述的碳化硅细粉的纯度≥99wt％，碳化硅细粉的粒径≤0.088mm。
4.根据权利要求1所述的原生电磁场SiC-ZnO复合材料的制备方法，其特征在于所述粘结剂为聚乙烯醇、石蜡和糊精中的一种。
5.根据权利要求1所述的原生电磁场SiC-ZnO复合材料的制备方法，其特征在于所述机压成型的压强为100～200MPa 。
6.一种原生电磁场SiC-ZnO复合材料，其特征在于所述原生电磁场SiC-ZnO复合材料是根据权利要求1-5中任一项所述原生电磁场SiC-ZnO复合材料的制备方法所述制备的原生电磁场SiC-ZnO复合材料。
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