[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，其包括形成源极/漏极区，以及在真空腔室或真空集群系统中进行选择性沉积以在源极/漏极区上形成金属硅化物层，并且在与源极/漏极区相邻的介电区上形成金属层。该方法还包括选择性地蚀刻真空腔室中的金属层，并且在金属硅化物层上选择性地形成金属氮化物层。在真空腔室或真空集群系统中进行选择性地形成金属氮化物层而未破真空。本发明实施例还提供另外两种形成半导体器件的方法。

技术领域

本发明涉及半导体领域，并且具体地，涉及形成半导体的方法。

背景技术

在集成电路的制造中，接触插塞被用于连接到晶体管的源极和漏极区以及栅极。源极/漏极接触插塞通常连接到源极/漏极硅化物区，其通过沉积金属层，并且然后进行退火以使金属层与源极/漏极区的硅反应来形成。然后，进行湿蚀刻以去除金属层的未反应部分。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种形成半导体器件的方法，包括：形成源极/漏极区；在真空腔室中进行选择性沉积以在所述源极/漏极区上形成金属硅化物层，并且在与所述源极/漏极区相邻的介电区上形成金属层；选择性地蚀刻所述真空腔室中的所述金属层；以及在所述金属硅化物层上选择性地形成金属氮化物层，其中，在所述真空腔室中进行选择性地形成所述金属氮化物层。

根据本发明的另一方面，提供一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍的第一部分上方形成栅极堆叠件；在所述半导体鳍的第二部分上外延生长半导体材料；在真空腔室中同时地形成金属层和金属硅化物层，其中，在所述半导体材料上形成所述金属硅化物层；在未破真空的情况下去除所述金属层；在未破真空的情况下在所述金属硅化物层上形成金属氮化硅层；形成覆盖所述金属氮化硅层的第一接触蚀刻停止层(CESL)；以及在所述第一CESL上方形成第一层间电介质。

根据本发明的另一方面，提供一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍的第一部分上方形成栅极堆叠件；在所述半导体鳍的第二部分上外延生长半导体材料；使用第一工艺气体同时地形成金属层和金属硅化物层，其中，在所述半导体材料上形成所述金属硅化物层；使用第二工艺气体去除所述金属层，其中，所述第一工艺气体和所述第二工艺气体均包括卤化物；以及使用第三工艺气体在所述金属硅化物层上形成金属氮化物层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图10E是根据一些实施例的晶体管和接触结构的形成中的中间阶段的立体图和横截面图。

图11至图17是根据一些实施例的晶体管和接触结构的形成中的中间阶段的立体图和横截面图。

图18示意性地示出了根据一些实施例的在真空腔室中处理的晶圆。

图19示出了根据一些实施例的用于形成晶体管和接触插塞的工艺流程。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现本发明的不同特征。以下描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。